文献

J-GLOBAL ID：202002279698065352   整理番号：20A2549030

サブ回折限界におけるフォノンイメージング【JST・京大機械翻訳】

Phonon imaging in the sub-diffraction limit

著者 (1件)： Dhara Sandip (Surface and Nanoscience Division, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam-603102, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 020002-020002-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学空間分解能限界は,ナノスケールでの物体の正確な分光学的キャラクタリゼーションを禁止する。しかし,ナノスケールでのプラズモン支援顕微鏡は,貴金属ナノクラスタの近接性における局在化電場の閉じ込めを利用してAbbeの回折限界を克服することができる。225nmのGaNナノワイヤ(NW)のフォノンイメージングと,回折限界以下の近接場でのAuナノ粒子支援プラズモンチップ増強Raman分光法(TERS)の支援によるGaN中のMgドーピングの研究を初めて報告した。また,一次元ナノ構造の配向を区別するために,表面光学フォノンモードを用いてサブ回折限界におけるInNナノロッドを画像化した。25nm Si NWの最小サイズをTERSを用いて画像化し,遠方場測定のアンサンブルと同様に大きな直径を持つNWに対するフォノン挙動の偏差を解析した。異なる分数イオン成分(FIC)を有する種々の分極率を有するナノ構造のフォノンイメージングにおける課題も議論し,一方,Si NW(FIC≒0)と比較して,少なくとも1次元,AlN(FIC≒0.72)ナノチップにおいて,1桁大きいサイズを解析した。この点に関して,GaNに対するFIC≒0.5のサブ回折限界におけるGaN NWのイメージングは,評価できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  *フォノン ,  プラズモン ,  貴金属 ,  *画像処理 ,  ドーピング ,  一次元 ,  窒化ガリウム ,  遠方場 ,  ナノ構造 ,  ナノワイヤ ,  ナノロッド ,  ナノクラスタ ,  近接場
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (2件)： サブ ,  回折限界