黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)単層ナノ構造に関する量子化学計算  高分子スラブ対量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Ghashghaee Mohammad; Azizi Zahra; Ghambarian Mehdi

文献

J-GLOBAL ID：202002279721995141 整理番号：20A1126579

黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)単層ナノ構造に関する量子化学計算高分子スラブ対量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Quantum-chemical calculations on graphitic carbon nitride (g-C₃N₄) single-layer nanostructures: polymeric slab vs. quantum dot

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巻： 31 号： 3 ページ： 1137-1148 発行年： 2020年
JST資料番号： T0880A ISSN： 1040-0400 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

グラファイト状窒化炭素(g-C_3N_4)は,最近の面内および表面特性に対して大きな注目を集めている。量子ドットを含むg-C_3N_4のいくつかの周期的およびクラスタモデルを,HSE06/Def2-TZVPレベルにおける密度汎関数理論(DFT)を用いて研究した。中心環へのほぼ垂直な配列における側鎖トリアジン環を有する量子ドットは,他のクラスタよりも安定で(98.40kcal/mol),窒化炭素の準安定相を含む。g-C_3N_4量子ドットは,高分子材料のバンドギャップから最大偏差(3.27eV,7.9%)を示した。一方,非緩和対称クラスタは参照バンドギャップから最小偏差(+0.03eV,1.0%)を有し,これはこのような探索における高分子表面のモデリングのための置換クラスタとして採用できることを示した。状態密度(DOS)のプロットは,量子ドットと比較して平面モデルの固有不安定性を明らかにした。さらに,g-C_3N_4量子ドットは調べたモデルの中で最も高い化学的硬度を示した。g-C_3N_4量子ドットの電子バンド構造は,高分子表面に参照された比較的良好な光吸収能力を意味した。しかし,構造変化は,C_3N_4モデルにおける軌道と電荷分布に著しい影響を及ぼした。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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分子の立体配置・配座

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黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)単層ナノ構造に関する量子化学計算 高分子スラブ対量子ドット【JST・京大機械翻訳】

黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)単層ナノ構造に関する量子化学計算高分子スラブ対量子ドット【JST・京大機械翻訳】