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J-GLOBAL ID：202002279825210505   整理番号：20A0497374

EBLおよび量子井戸におけるバンドギャップ工学を用いたGaNベース青色LEDの性能向上【JST・京大機械翻訳】

Performance Enhancement of GaN based blue LEDs using Bandgap Engineering in EBL and Quantum Wells

著者 (4件)： Khan Farhan (Aligarh Muslim University,Department of Electronics Engineering,Aligarh,U.P.,India,202002) ,  Ahmad Shameem (Aligarh Muslim University,Department of Electronics Engineering,Aligarh,U.P.,India,202002) ,  Siddiqui M.J. (Aligarh Muslim University,Department of Electronics Engineering,Aligarh,U.P.,India,202002) ,  Alvi P. A. (Banasthali University,Department of Physics,Banasthali,Rajasthan,India,304022)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： UPCON  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaN系青色LEDの新しい構造を提案し,LEDの電気的および光学的性能を改善した。入力電流を変えてデバイス性能を観察するために数値シミュレーションを行った。出力パワー,内部量子効率および井戸中のキャリア濃度を決定するために,6×6Kohn-Luttingerハミルトニアンを解いた。放射再結合速度と同様に発光パワー,スペクトル特性,IQEをシミュレートした。結果は,提案した導いた構造の出力光パワーの改善と効率低下性能の改善を示唆した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  キャリア密度 ,  光学的性質 ,  *バンドギャップ ,  発光 ,  *量子井戸 ,  ハミルトニアン
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  アウトプット光 ,  スペクトル特性 ,  放射再結合 ,  内部量子効率 ,  数値シミュレーション ,  入力電流 ,  *青色LED , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  発光素子  (NC03082G) ,  符号理論  (ND02030R) ,  光源,照明器具  (NB12020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子井戸 ,  バンドギャップ ,  工学 ,  GaN ,  青色LED ,  性能向上