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J-GLOBAL ID：202002279870178029   整理番号：20A2502226

Si-Ge合金の有効質量異方性:有効質量テンソルの議論【JST・京大機械翻訳】

Effective mass anisotropy of Si-Ge alloys: a discussion of the effective mass tensor

著者 (5件)： Song Yanxing (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Chai Changchun (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Fan Qingyang (School of Information and Control Engineering, Xi’an University of Architecture and Technology, Xi’an 710055, People’s Republic of China) ,  Zhang Wei (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Yang Yintang (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
資料名： Physica Scripta  (Physica Scripta)
巻： 95  号： 11  ページ： 115808 (13pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0454B  ISSN： 0031-8949  CODEN： PHSTBO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,C2/m-20Si_1-xGe_x(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)の安定度,機械的性質,機械的異方性特性,電子特性および有効質量異方性をab initio計算により研究した。有効質量は半導体の輸送特性を測定する重要な指標である。有効質量異方性の解析は,半導体素子の結晶方位の設計の理論的基礎を提供する。キャリアのE-k関係の微分可能性の議論を増加させることによって,そのTaylor展開の合理性を有効質量テンソルの実現可能性を判断するために決定した。有効質量テンソルの誤用を回避することは,研究者が有効質量異方性の解析においてより正確で信頼できる結果を得ることを可能にする。有効質量テンソル法と横断法の組合せを通して,最小有効質量は,急速に見つけることができ,一方,計算量は大いに減少した。これは材料のキャリア輸送特性に関する研究にとって非常に重要である。極端に低い正孔有効質量が,[001]方向に0.017m_0の正孔有効質量を有するゲルマニウムの新しい相に見出された。これは,C2/m-Ge_20が[001]方向に非常に高いキャリア移動度を持ち,電子デバイスの場に大きな影響を持つことを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  キャリア移動度 ,  *合金 ,  正孔 ,  *テンソル ,  半導体 ,  半導体素子 ,  *ゲルマニウム ,  結晶方位 ,  微分 ,  計算量 ,  *有効質量
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  電子素子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Ge合金 ,  有効質量 ,  異方性 ,  テンソル ,  議論