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J-GLOBAL ID：202002280009767368   整理番号：20A0769537

La_0.67Ba_0.33MnO_3およびLa_0.67Ca_0.33MnO_3導電性酸化物電極上に成長させた(K,Na,Li)(Ta,Nb)O_3-CaZrO_3鉛フリー強誘電体膜に及ぼすガンマ線照射の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of gamma irradiation on (K,Na,Li)(Ta,Nb)O₃-CaZrO₃ lead-free ferroelectric film grown on La_0.67Ba_0.33MnO₃ and La_0.67Ca_0.33MnO₃ conductive oxide electrode

著者 (14件)： Qin Feng (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Sun Xiangyu (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610299, China) ,  Sun Xiangyu (Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Gong Dongdong (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610299, China) ,  Gong Dongdong (Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Wang Yicheng (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610299, China) ,  Wang Yicheng (Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Chen Yu (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610299, China) ,  Chen Yu (Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Xu Liqiang (Department of Physics, University of Sciences and Technology of China, And High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences (CAS), Hefei, 230026, China) ,  Chen Feng (Department of Physics, University of Sciences and Technology of China, And High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences (CAS), Hefei, 230026, China) ,  Du Yijia (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, 610299, China) ,  Du Yijia (Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Bao Jingfu (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 826  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (K_1-xNa_x)NbO_3(KNN)ベースの無鉛強誘電材料は,大きな圧電係数を特徴とし,従来の鉛ベースの強誘電体材料を置き換えるための非常に有望な候補と考えられてきた。材料の照射抵抗は,強い照射環境における応用,特に照射抵抗デバイスにおける可能な応用にとって重要である。本論文において,0.95(K_0.49Na_0.49Li_0.02)(Ta_0.2Nb_0.8)O_3-0.05CaZrO_3(KNN-LT-CZ)無鉛薄膜を,La_0.67Ca_0.33MnO_3(LCMO)とLa_0.67Ba_0.33MnO_3(LBMO)導電性酸化物を底部電極として,金属Ptをトップとして,SrTiO3(001)基板上に成長させた。50Mrad(Si)のγ線照射の前後で,Pt/KN-LT-CZ/LCMOとPt/KN-LT-CZ/LBMO膜において,それぞれ21%と26%の残留分極減衰が識別された。照射により,後者では外来電流が誘起されたが,前者では誘電率が10%減少した。導電性金属酸化物上に成長させたKNN-LT-CZ膜は,より強靭な環境で適用されるデバイスにおける将来の設計最適化に最終的に利益をもたらす好ましい照射抵抗と関連している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *γ線照射 ,  電流 ,  薄膜 ,  誘電率 ,  *鉛 ,  白金 ,  *酸化物 ,  金属酸化物 ,  チタン酸ストロンチウム ,  残留分極 ,  *導電性
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  *導電性酸化物 ,  鉛フリー ,  *強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： KNN-LT-CZ ,  鉛フリー強誘電体膜 ,  酸化物電極 ,  ガンマ線照射

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 導電性酸化物 ,  成長 ,  Na ,  Li ,  Ta ,  Nb ,  鉛フリー ,  強誘電体膜 ,  ガンマ線照射