文献
J-GLOBAL ID:202002280038882661   整理番号:20A2392208

可変電位でガラス基板上に堆積した弱揮発性有機化合物の高速脱着のためのnsパルスアルゴンプラズマジェットの実験研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental investigation of a ns-pulsed argon plasma jet for the fast desorption of weakly volatile organic compounds deposited on glass substrates at variable electric potential
著者 (7件):
資料名:
巻: 53  号: 47  ページ: 475202 (26pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
nsパルスアルゴン大気圧プラズマジェット(APPJ)を,可変電位(浮遊電位または接地)でガラス基板上に沈着した弱揮発性有機分子(ビベンジル)の高速脱着について研究した。特に薄い抵抗ビベンジル膜(大きな厚いビベンジル堆積物)に焦点を当て,浮遊電位で基板を用いるとき,脱着するのが困難であった。APPJを高分解能レーザ吸収分光法によりプローブし,ビベンジルが堆積したガラス板の近傍においてAr_(1s_5)準安定絶対密度(空間的および時間的に分解)をマッピングした。さらに,APPJの電気的,光学的および熱的特徴を系統的に調べた。この方法で,APPJ(t_exp,10sから180sまで)への分子の暴露時間を変えることによって,薄い耐性ビベンジル堆積物に対するプラズマ脱着効果を,想定した応用に対して評価した。得られた結果は浮遊電位基板の場合の比較的低い脱着効率を確認し,t_expの増加と共にある程度改善した。しかし,基板が接地されたとき,プラズマの影響はより顕著になる(即ち,はるかに高い脱着効率)。さらに,浮遊電位基板の場合とは対照的に,t_exp=180sではビベンジルのほぼ完全な脱着が達成される。APPJの同様の効果を厚いビベンジル堆積物で記録し,以前の結果を検証した。両操作条件(浮遊電位と接地基板)に対して,プラズマ作用はAr(1s_5)の比較的高い密度(21013cm-3まで)のガラス表面に近い生産と原子酸素,ヒドロキシルラジカルとオゾンのような酸化種に起因する。熱効果は,比較的高いガスとガラス表面温度(>60°C)が,この場合にのみ達成されるので,基板が接地されたときにのみ相乗的役割を果たす可能性がある。本結果は,麻薬や爆薬などの耐性禁止物質の迅速検出に関連する公共セキュリティ応用にとって興味深い。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電気化学反応  ,  薄膜成長技術・装置  ,  半導体薄膜 

前のページに戻る