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J-GLOBAL ID：202002280383111091   整理番号：20A1921026

垂直ボロフェン/MoS_2ヘテロ接合の電子および光学特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic and optical properties of vertical borophene/MoS₂ heterojunctions

著者 (4件)： Wei Jinlei (School of Science, Jiangnan University, Wuxi, 214122, China) ,  Li Wei (School of Science, Jiangnan University, Wuxi, 214122, China) ,  Liao Bin (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, 100875, China) ,  Bian Baoan (School of Science, Jiangnan University, Wuxi, 214122, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 252  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボロフェンとMoS_2に基づく積層ヘテロ接合の電子と光学特性を密度汎関数理論によって研究した。1/6空孔ボロフェンβ_12とMoS_2の異なるスタックは,層間van der Waals力により異なる電子特性を誘起することが分かった。外部電場はヘテロ接合のSchottky接触型を調整することができる。積層ヘテロ接合はMoS_2と比較して光応答の範囲を拡大した。スタックは,sing層MoS_2の電子的および光学的特性を変化させ,外部電場は,変化したSchottky接触型を誘起し,調整可能なSchottky接触および良好な光学特性を有するオプトエレクトロニックデバイスを設計する方法を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *光学的性質 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 外部電場 ,  光電子デバイス ,  Schottky接触 ,  *ボロフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘテロ接合 ,  密度汎関数理論 ,  ボロフェン/MoS_2 ,  電子構造 ,  光学特性

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  ボロフェン ,  ヘテロ接合 ,  電子 ,  光学特性