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J-GLOBAL ID：202002280431181003   整理番号：20A1809629

DMTFETベースバイオセンサの性能に及ぼす基板,バックゲートBiasおよびフロントゲートエンジニアリングの影響に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on the Effects of Substrate, Back-Gate Bias and Front-Gate Engineering on the Performance of DMTFET-Based Biosensors

著者 (6件)： Kanungo Sayan (Department of Electrical and Electronics Engineering, Birla Institute of Technology and Science-Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Majumdar Budhaditya (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW, Australia) ,  Mukhopadhyay Subhas (School of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW, Australia) ,  Som Debapriya (Department of Electrical and Electronics Engineering, Birla Institute of Technology and Science-Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Chattopadhyay Sanatan (Department of Electronic Science, University of Calcutta, Kolkata, India) ,  Rahaman Hafizur (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Howrah, Shibpur, India)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 20  号： 18  ページ： 10405-10414  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,インスレータ(DG-SOI)誘電変調トンネル電界効果トランジスタ(DMTFET)アーキテクチャ上の二重ゲートシリコンの性能を,広範なデバイスレベルシミュレーションの助けを借りて無標識バイオセンシング応用に対して系統的に調査した。この状況において,バルク酸化物(BOX)基板とバックゲートバイアスの効果を強調し,DMTFETの空洞とチャネル静電気とバンドトンネル(BTBT)成分から解析した。BOX基板とチャネル間の静電結合は,DG-SOI DMTFETのセンシング性能を著しく劣化させ,一方,適用した負のバックゲートバイアスは,そのような変換器の性能を高めた。このラインにおいて,二重金属(DM)ゲートアーキテクチャを導入し,これは,印加バックゲートバイアスの影響を効果的に強化し,それによって,生体分子試料仕様に依存して,DM DG-SOI DMTFETにおける10%から110%への感度改善をもたらす。さらに,適切な印加バックゲートバイアスに対して,DG-SOI DMTFETの感度における界面トラップ状態誘起変化は,1桁の大きさでも減少できることが観察された。最後に,提案したDMTFETの報告された対応物との比較センシング性能研究は,より小さな誘電定数を有する生体分子のためのそのようなバイオセンサの利点を確立した。同様の研究はまた,広い生体分子試料仕様に対するMOSFET対応物に対する提案したDMTFETの優位性を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  静電気 ,  誘電率 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  絶縁材料 ,  MOSFET ,  重金属 ,  計算機アーキテクチャ ,  *バイオセンサ
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  *バックゲート ,  界面トラップ ,  生体分子 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： バイオセンサ ,  バックゲート ,  研究