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J-GLOBAL ID:202002280520693989   整理番号:20A1032937

GaおよびGeドープグラフェン構造:メタノールに対するセンサ応用のDFT研究【JST・京大機械翻訳】

Ga and Ge-doped graphene structures: A DFT study of sensor applications for methanol
著者 (3件):
資料名:
巻: 1180  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2300A  ISSN: 2210-271X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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密度汎関数理論計算を行い,GaとGeドープグラフェンクラスタ表面へのメタノール吸着を調べ,ガスセンサとしてドープしたグラフェンの可能性を調べた。本研究では,6-31G(d,p)およびLANL2DZ基底関数系を用いたハイブリッドB3LYP法を用いた。構造の電荷分布は,GaドープおよびGeドープグラフェン構造の両方がメタノール分子に敏感であることを示した。GaドープおよびGeドープグラフェン構造のHOMO-LUMOギャップは,メタノールがこれらの構造に吸着すると減少した。この結果は,両方の構造の電気伝導率が増加したことを示している。したがって,GaドープおよびGeドープグラフェン構造は,メタノールを検出するためのガス検知材料として利用できる。さらに,Gaドープグラフェンのそれらよりも高い電気伝導率とGeドープグラフェンのより小さい回復時間は,それをメタノールセンシングの観点からより敏感で有用にする。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  吸着の電子論 
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