抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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シェル形状に閉じ込められた液晶の構造に対する印加場の役割を,過去の理論的研究において研究し,制御された欠陥構造または原子価を有する液晶シェルを生産するための戦略を提供した。しかし,そのような研究の予測は,まだ実験的に調査されていない。本研究では,実験とシミュレーションの両方を用いて,強い均一磁場下で四価ネマチック液晶シェルによって受ける構造変換を研究した。シェル形状と初期欠陥対称性に関して2つの異なるケースを考察した。(i)四面体配列に4s=+1/2欠陥を持つ均一シェル,および(ii)それらの薄い部分に局在化した4s=+1/2欠陥を持つ不均一シェル。以前の理論結果と一致して,欠陥が極に向かって移動する過程で,初期欠陥構造がバイポーラに発展することを観測した。興味深いことに,欠陥軌跡と動力学は,対によって欠陥を接続する曲率壁によって制御されることを見出した。B_s間の角度に基づいて,シェル表面上の磁場の局所投影と欠陥方位を記述するベクトルであるn_+1/2,これらの反転壁の性質と形状,従って欠陥の軌跡と動力学を予測することができた。対称性の議論に基づくこの規則は,実験とシミュレーションの両方と一致し,厚さが均一または不均一であるシェルに適用した。B_sとn_+1/2の間の角度を修正することにより,制御された方法で,最終バイポーラ状態に対する複雑な経路を誘起することができる。不均一シェルの場合,シェルの特異的対称性は,初めてハイブリッドスレーベンドHelfrich壁を観察することを可能にした。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】