文献

J-GLOBAL ID：202002280611319569   整理番号：20A0058133

エンタングル光子対生成に用いるためのInGaN/GaNドットインナノワイヤ構造における微細構造分裂の原子論的モデリング【JST・京大機械翻訳】

Atomistic Modeling of Fine Structure Splitting in InGaN/GaN Dot-in-Nanowire Structures for Use in Entangled Photon Pair Generation

著者 (2件)： Nishat Md Rezaul Karim (Department of Electrical and Computer Engineering, Southern Illinois University, Carbondale, IL, USA) ,  Ahmed Shaikh Shahid (Department of Electrical and Computer Engineering, Southern Illinois University, Carbondale, IL, USA)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 56  号： 1  ページ： ROMBUNNO.3000109.1-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細構造分裂(FSS)は量子ドット(QD)ベースの固体もつれ光子対源における量子鍵分布(QKD)への応用のボトルネックである。QDにおいて,ent角光子対はカスケード発光過程を通して発生する:基底状態への励起子への双励起子。励起子状態のFSSは光子対のもつれを破壊する。したがって,それは除去される必要がある。FSSと設計最適化の数値研究のために,多スケール多物理多体計算が必要である。本論文では,現実的サイズのInGaN/GaNドット-インナノワイヤ構造の励起子エネルギーを計算するために,10バンド(sp3s*-スピン)強束縛(TB)モデルと完全配置間相互作用(FCI)法の結合を報告した。モデルベンチマーキングを最近報告されたInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)構造に対して平面配向で行った。六角形ベースの短縮ピラミッド形QDを実装する計算方法を示した。InGaN/GaNベースの光子エミッタのFSSに及ぼすQD形状/厚さ,材料組成および結晶成長方向(極性c面および非極性m面およびa面)の影響を調べた。励起子遷移から放出された光子の偏光プロフィルを遷移双極子モーメントから量子力学的に導出した。最小FSSにより,非極性m面素子はQKD応用に最も有望であることが分かった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 配置間相互作用 ,  *対生成 ,  結晶成長 ,  励起子分子 ,  *モデリング ,  偏光 ,  発光 ,  量子ドット ,  双極子モーメント ,  多重量子井戸 ,  基底状態 ,  *窒化ガリウム ,  非極性 ,  *光子 ,  励起子

分類 (4件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体レーザ  (BD04080W) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光子対 ,  InGaN ,  GaN ,  微細構造 ,  モデリング