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J-GLOBAL ID：202002280640954943   整理番号：20A0910363

CoWOS不均一集積のためのSiインターポーザにおける集積化深トレンチキャパシタ【JST・京大機械翻訳】

Integrated Deep Trench Capacitor in Si Interposer for CoWoS Heterogeneous Integration

著者 (11件)： Hou S.Y. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Wu C.H. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Yu Douglas (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Hsia H. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Tsai C.H. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Ting K.C. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Yu T.H. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Lee Y.W. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Chen F.C. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Chiou W.C. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.) ,  Wang C.T. (R&D, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,Taiwan R. O. C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IEDM  ページ： 19.5.1-19.5.4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先進的人工知能(AI)と高性能コンピューティング(HPC)部品に対する過剰に要求される電力完全性(PI)要求に適合するために,高K(HK)ベースの深いトレンチキャパシタ(DTC)をシリコンインタポーザに初めて集積し,チップオンウエハオン基板(CoWoS)集積のための微細ピッチ相互接続を行った。最大340nF/mm2の比静電容量密度(C_s)を,大きなキャパシタアレイ上で達成し,インターポーザ型当たり68μFまでの全キャパシタンス(C_t)を提供した。HK誘電体は,1.35Vの動作電圧(V_cc)で>1000年の固有時間依存絶縁破壊(TDDB)寿命を有し,正規化漏れ電流(I_LK)密度<;105°Cで1.35V下で1fA/μm~2であった。識別可能なプロセス誘起損傷または性能劣化(キャパシタンス,I_LK&V_bdテーリング)は観察されなかった。高容量,低漏れ,大面積,信頼性が証明されたSiインターポーザ集積DTC,またはICAPは,優れたPI性能を提供し,次世代不均一ウエハレベルシステム集積(WLSI)のためのCoWoS使用のメリットを大きく高める。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  誘電体 ,  信頼性 ,  電力 ,  *ケイ素 ,  相互接続 ,  時間依存性 ,  静電容量 ,  漏れ電流 ,  人工知能 ,  正規化 ,  システムインテグレーション
準シソーラス用語： TDDB ,  *インターポーザ ,  比静電容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不均一 ,  集積 ,  Si ,  インターポーザ ,  集積化