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J-GLOBAL ID：202002280735016456   整理番号：20A1252449

ZnSe単結晶中の深いトラップ濃度【JST・京大機械翻訳】

Deep traps concentrations in ZnSe single crystals

著者 (6件)： Brodyn M.S. (Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine, 46 Nauky av., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Degoda V.Ya. (Taras Shevchenko Kyiv National University, Physics Department, 03680 Kyiv, Ukraine) ,  Alizadeh M. (Taras Shevchenko Kyiv National University, Physics Department, 03680 Kyiv, Ukraine) ,  Podust G.P. (Taras Shevchenko Kyiv National University, Physics Department, 03680 Kyiv, Ukraine) ,  Pavlova N.Yu. (National Pedagogical Dragomanov University, Kyiv, Ukraine) ,  Kozhushko B.V. (Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine, 46 Nauky av., 03028 Kyiv, Ukraine)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 258  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 50%の精度でさえ,トラップとルミネセンス中心の濃度の決定は,ルミネセンス速度論と結晶性蛍光体と半導体の伝導率のための重要な課題である。高単結晶,ZnSe試料の場合,熱刺激伝導率(TSC),光伝導率の温度依存性,および85Kと295KでのV-I曲線の曲線により,深いトラップ濃度が定義された。測定した濃度値は,~10~15~10~17cm~3であった。トラップの濃度は再結合中心の濃度よりも著しく小さいことが明らかになった。ルミネセンス中心濃度を推定し,630nm(1.9eV)で最大値をもつ広いルミネセンス幅のバンドを決定し,それらの濃度が10~18cm-3を超えることを明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 蛍光体 ,  光伝導 ,  *単結晶 ,  半導体 ,  ルミネセンス ,  温度依存性 ,  結晶度 ,  速度論 ,  熱刺激 ,  *セレン化亜鉛 ,  発光中心 ,  再結合中心
準シソーラス用語： 伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱刺激伝導率 ,  光伝導 ,  トラップ ,  発光中心 ,  セレン化亜鉛

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnSe ,  単結晶 ,  トラップ