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J-GLOBAL ID：202002280817347130   整理番号：20A2250535

表面プラズモンポラリトンの高一方向性と高強度を同時に達成するための二成分ナノスリット構造の設計【JST・京大機械翻訳】

Designing binary nanoslit structures for simultaneously achieving high unidirectivity and high intensity of surface plasmon polaritons

著者 (4件)： Dong Jianjie (Chinese Academy of Sciences (CAS) Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Feng Huimin (Chinese Academy of Sciences (CAS) Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Feng Huimin (University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China) ,  Liu Qian (Chinese Academy of Sciences (CAS) Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 18  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモンポラリトン(SPP)の伝搬方向を同時に制御し,それらの電場強度を増強するために,背面照明の場合の2元ナノスリット構造(BNS)を設計する方法を提案した。このアプローチでは,BNSsの2つのユニットナノスリットの幾何学的パラメータを,最初に提案したSPP干渉モデルで設計し,次に,設計したナノスリットの数と空間配置を最適化して,BNSsによって生成されたSPPの電場強度と単指向性を増加させる。バックサイド照明条件の下で,提案した方法によって設計したBNSは,その消光比が約2420であるSPPを生成でき,電場強度は,同じ照明条件下で参照格子結合器によって生成されたSPPの電場強度よりも著しく大きい約7.3の因子によって増強されることを,数値的に実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 干渉 ,  最適化 ,  *電場 ,  照明 ,  照明条件 ,  指向性 ,  電界強度 ,  消光比
準シソーラス用語： 一方向性 ,  *表面プラズモンポラリトン ,  幾何学的パラメータ ,  *ナノスリット ,  格子結合器 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 表面プラズモンポラリトン ,  一方向伝搬 ,  電場増強

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  ポラリトン  (BM02140A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面プラズモンポラリトン ,  一方向性 ,  高強度 ,  二成分 ,  ナノスリット ,  設計