文献

J-GLOBAL ID：202002280935927058   整理番号：20A2802557

活性光触媒としての2DJanusNbSeTeの脆弱性の構造的洞察【JST・京大機械翻訳】

Structural Insight of the Frailty of 2D Janus NbSeTe as an Active Photocatalyst

著者 (5件)： Yang Xiaoyong (Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University 45, 75120, Uppsala, Sweden) ,  Yang Xiaoyong (State Key Laboratory of Environment-friendly Energy Materials, National Collaborative Innovation Center for Nuclear Waste and Environmental Safety, Southwest University of Science and Technology 50, Mianyang, 621010, China) ,  Banerjee Amitava (Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University 45, 75120, Uppsala, Sweden) ,  Ahuja Rajeev (Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University 45, 75120, Uppsala, Sweden) ,  Ahuja Rajeev (Applied Materials Physics, Department of Materials and Engineering Royal Institute of Technology (KTH), 100 44, Stockholm, Sweden)
資料名： Chemcatchem  (Chemcatchem)
巻： 12  号： 23  ページ： 6013-6023  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2356A  ISSN： 1867-3880  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D材料,Janus MTeSe(M=Nb,Mo,またはW)の純粋および欠陥単分子層の新しいファミリーを,第一原理計算に基づく水素発生反応(HER)の有望な触媒として研究した。これらのJanus単分子層は動的かつ熱力学的に安定であることが観察された。ハイブリッド交換相関汎関数(HSE06)に基づく電子構造は,JanusNbTeSeが,赤外領域近くの優れた光吸収能力で1.478eVの間接バンドギャップを有する分極半導体であることを明らかにした。MoTeSeとWTeSe単分子層は,1.859と1.898eVの適切なバンドギャップを持つ直接バンドギャップ半導体である。MTeSe単分子層におけるキャリア有効質量と移動度も計算した。続いて,HERに対する欠陥のあるMTeSeと同様に,無垢の触媒活性を,吸着自由エネルギー([数式:原文を参照])に基づく反応座標から同定した。Nb系Janus層は,そのピア,グループVIB遷移金属,Mo,WベースJanus層よりも比較的弱いHER活性を有することが注目された。水素と単分子層間のCoulomb引力は,Nb,MoからWへの内部原子半径の増加と共に減少し,それは活性光触媒としての2DJanusNbSeTeの構造フレイルの1つである。さらに,WおよびMoベース系上のNb系Janus層に対する触媒劣悪の理由を明らかにするために,H吸着原子有り/無しの純粋および欠陥MTeSeの電子構造および電荷密度分布を解析した。HSE06によるJanus MTeSe単分子層のこの比較研究は,Janus系HER触媒の深い理解を提供するであろう。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  半導体 ,  光吸収 ,  分極 ,  水素 ,  モリブデン ,  触媒活性 ,  単分子層 ,  汎関数 ,  *二次元 ,  有効質量 ,  *光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D単分子層 ,  欠陥 ,  HER ,  Janus層 ,  水分解

分類 (1件)： その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 活性 ,  光触媒 ,  脆弱性 ,  洞察