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J-GLOBAL ID:202002281134214119   整理番号:20A1360003

Ga_2O_3とAl_2O_3の斜方晶合金【JST・京大機械翻訳】

Orthorhombic alloys of Ga2O3 and Al2O3
著者 (3件):
資料名:
巻: 116  号: 23  ページ: 232102-232102-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Ga_2O_3は電子応用のためのワイドバンドギャップ材料として大きな注目を集めている。斜方晶κ相は,その大きな予測自然電気分極のために興味深い。ここでは,密度汎関数理論とハイブリッド汎関数を用いて,Al_2O_3との合金化Ga_2O_3が,格子定数,バンドギャップ,および伝導バンドオフセットを改質するためにどのように使用できるかを調べた。Al量の増加は格子定数を直線的に減少するが,バンドギャップと伝導バンドオフセットの増加は非線形で,1.41eVの湾曲を有することを見出した。構造的には,八面体配位サイトを占めるAl原子の強いエネルギー優先性と四面体サイトを占めるGa原子が存在する。Gaは五面体サイトを占有するが,小さなエネルギーコストでも占有する。合金の生成エンタルピーは純材料のそれより小さく,特に低い生成エンタルピーを持つ50%Alの規則合金であった。これらの定量的結果は,実験装置設計を導くのに使用できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体結晶の電子構造  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
タイトルに関連する用語 (2件):
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