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J-GLOBAL ID：202002281249265795   整理番号：20A0948814

SiC-MOSFET,GaN-FETインバータにおける放射妨害波の比較検討

Radiation Noise Evaluation on SiC-MOSFET/GaN-FET Inverters

著者 (1件)： 齋藤真 (芝浦工大)
資料名： パワーエレクトロニクス学会誌  (Journal of the Japan Institute of Power Electronics)
巻： 45  ページ： 75-82  発行年： 2020年03月31日 
JST資料番号： X0926A  ISSN： 1348-8538  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・従来のIGBTやSJ-MOSFETを用いたインバータをSiC-MOSFETやGaN-FETを用いたインバータで置き換えた場合のEMIノイズの違いを検証。
・三相インバータ基板にこれらのインバータを搭載し,他の回路構成等を同一にしてスイッチング波形と放射ノイズを測定してそれぞれの特性を評価。
・実験結果より,SiC-MOSFETでは50MHz以上の帯域で,GaN-FETでも150MHz以上の帯域で,IGBTと大差のないノイズレベルであることを確認。
・実験結果に基づき,従来のインバータをSiC-MOSFETやGaN-FETを用いたインバータで置き換えることの有効性を確認。

シソーラス用語： *MOSFET ,  窒化ガリウム ,  *インバータ ,  *雑音 ,  電磁干渉 ,  半導体素子 ,  特性
準シソーラス用語： EMI【電磁干渉】 ,  GaN ,  *SiC MOSFET ,  *インバータ回路 ,  スイッチング特性 ,  パワーデバイス ,  *放射ノイズ

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  GaN ,  FET ,  インバータ ,  放射妨害波 ,  比較検討