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J-GLOBAL ID：202002281253808459   整理番号：20A1884787

くさび形テーパリングを有するGaAsデバイスにおけるGunn閾値電圧特性評価【JST・京大機械翻訳】

Gunn threshold voltage characterization in GaAs devices with wedge-shaped tapering

著者 (3件)： Hsu Hua-Wei (Applied Physics Program, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Dominguez Michael J. (Applied Physics Program, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Sih Vanessa (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 7  ページ： 074502-074502-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 矩形形状領域に結合したくさび形テーパリング領域を有するガリウムアルセニド系デバイスを作製し,Gunn効果を誘発するのに必要な閾値電圧を測定した。閾値電圧低減はデバイスのより狭い端に向かう電場の集束に起因し,デバイスが急峻なテーパリングを持つとき有効である。また,直感的グラフィカルアプローチと有限要素法を用いてテーパ付きデバイスの電場プロファイルをモデル化し,テーパデバイスの閾値電圧に対する推定を提供した。最後に,測定値と推定値を比較し,不一致の可能な理由を提供した。ウェッジ形状テーパリング設計による閾値電圧低減の能力がデバイス応用に有用であると信じる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Gunn効果 ,  電場 ,  有限要素法 ,  *ヒ化ガリウム ,  楔形 ,  キャラクタリゼーション ,  推定量
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  テーパ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： くさび形 ,  テーパ ,  GaAs ,  閾値電圧 ,  特性評価