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J-GLOBAL ID：202002281271981157   整理番号：20A1321642

ゾル-ゲル法を用いた被覆導体用のエピタキシャルLa_2-xGd_xZr_2O_7バッファ層の調製【JST・京大機械翻訳】

Preparation of epitaxial La_2-xGd_xZr₂O₇ buffer layer for coated conductors using sol-gel method

著者 (14件)： Li Limin (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Zhao Gaoyang (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Zhao Gaoyang (Advanced Material Analysis and Test Center, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Zhao Gaoyang (Key Laboratory of Electrical Materials and Infiltration Technology of Shaanxi Province, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Lei Li (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Lei Li (Advanced Material Analysis and Test Center, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Yan Fuxue (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Yan Fuxue (Advanced Material Analysis and Test Center, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Deng Bo (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Deng Bo (Advanced Material Analysis and Test Center, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Jia Jiqiang (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Jia Jiqiang (Advanced Material Analysis and Test Center, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Yang Linna (School of Material Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, Shaanxi, 710048, China) ,  Li Chengshan (Northwest Institute for Nonferrous Metal Research, Xi’an, Shaanxi, 710016, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 250  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_2-xGd_xZr_2O_7(LGZO)膜をNi-5at.%W圧延支援二軸集合組織基板(RABiTS-NiW)上にゾル-ゲル法を用いて作製した。ジルコニウム酸ランタンの格子定数はガドリニウム元素ドーピングによって変化し,それはランタンジルコニウム酸塩バッファ層の格子定数を減少させ,NiW基板の格子とのより良い整合を有した。特に,バッファ層膜の粒成長集合組織をX線回折,EBSD,SEMおよびTEMによって解析した。結果は,La_1.25Gd_0.75Zr_2O_7膜が最高のc軸優先配向と緻密な微細構造を有することを示した。EBSD測定は,La_1.25Gd_0.75Zr_2O_7膜内に優れた粒成長集合組織が形成され,最もミスオリエンテーション角が約3°であることを明らかにした。さらに,NiW_(002)//La_1.25Gd_0.75Zr_2O_7(004)およびNiW_(200)//La_1.25Gd_0.75Zr_2O_7(440)のエピタキシャル成長関係を,原子分解能TEM観察によって実証した。適切な元素置換により,La_1.25Gd_0.75Zr_2O_7はYBa_2Cu_3O_7-xとNiW基板の間の単相バッファ層の非常に有望な候補である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  結晶成長 ,  格子定数 ,  集合組織 ,  ガドリニウム ,  ランタン ,  圧延 ,  ドーピング ,  ジルコニウム酸塩 ,  優先配向 ,  単相 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： ミスオリエンテーション ,  EBSD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： LGZO ,  緩衝層 ,  フィルム ,  高温超伝導体

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル法 ,  被覆導体 ,  エピタキシャル ,  バッファ層 ,  調製