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J-GLOBAL ID：202002281391693367   整理番号：20A0385310

AlGaN/GaN HEMTの性能向上のための低温超臨界窒化技術【JST・京大機械翻訳】

A low-temperature supercritical nitridation technology for enhancing the performance of AlGaN/GaN HEMTs

著者 (7件)： Zhang Hong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China) ,  Chen Guanjun (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China) ,  Zheng Xuefeng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China) ,  Zhou Hong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China) ,  Zhao Shenglei (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, No.2 South TaiBai Road, 710071, Xi’an, China)
資料名： Journal of Supercritical Fluids  (Journal of Supercritical Fluids)
巻： 158  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1591A  ISSN： 0896-8446  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非破壊低温超臨界窒化(LTSCN)はAlGaN/GaN HEMTの性能を高めることが証明された。試料を,NH_3と混合した超臨界CO_2流体中,20.7MPa,1時間,120°Cで処理した。LTSCNの後,ゲート漏れ電流はSchottky障壁高さの増加に対して69.6%減少し,サブ閾値スイングは19.9%減少した。さらに,オン抵抗は移動度の増大により20.4%減少した。AlGaN/GaN界面近傍の遅いトラップ状態密度は,(5.12×10~13~7.07×10~13)cm~-2eV~-1から(1.80×10~13~2.36×10~13)cm~-2eV-1に減少し,活性化エネルギーはLTSCN後(0.492から0.500)eVに減少した。遅いトラップの変化を説明するために,LTSCNの修正モデルを提示し,変化した遅いトラップにおける電子捕獲のCoulomb散乱効果を採用して,移動度の改善を説明した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化 ,  活性化エネルギー ,  *HEMT ,  Coulomb散乱 ,  オン抵抗 ,  *超臨界 ,  超臨界流体 ,  状態密度 ,  *低温 ,  移動度 ,  電子捕獲
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  ゲート漏れ電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 超臨界流体 ,  窒化 ,  AlGaN/GaN HEMT ,  界面トラップ状態

分類 (1件)： 抽出  (XD02030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  性能向上 ,  低温 ,  超臨界 ,  窒化