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J-GLOBAL ID：202002281573254157   整理番号：20A2246124

InN単層における欠陥および軽元素(Li,Be,B,C,OおよびF)駆動d→π0磁性【JST・京大機械翻訳】

Defects and light elements (Li, Be, B, C, O and F) driven d⁰ magnetism in InN monolayer

著者 (3件)： Kumar Nilesh (Department of Physics and Center for Solar Energy, Indian Institute of Technology Jodhpur, 342037, India) ,  Chaurasiya Rajneesh (Department of Physics and Center for Solar Energy, Indian Institute of Technology Jodhpur, 342037, India) ,  Dixit Ambesh (Department of Physics and Center for Solar Energy, Indian Institute of Technology Jodhpur, 342037, India)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 181  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,InN単分子層を含む固有/外因性点欠陥の構造的,電子的および磁気的性質を計算した。フォノンバンド分散により,元のInN単分子層の安定性を確認した。InN元の単分子層は,間接バンドギャップ,MとΓ高対称性点の間の0.61eVを示した。In_V,N_V,(In/N)_V空格子点,およびIn⇔Nのようなアンチサイト欠陥を,InN単分子層において,光元素,Li,Be,B,C O,および窒素(N)原子サイトでのFドーピングと共に考察した。点欠陥の安定性とドープInN単分子層の理解のための形成エネルギーを計算した。InN単分子層を含むN_Vは構造の中で最も安定な挙動を示した。空孔欠陥In_V,N_Vおよび(In/N)_Vは,それぞれ3.00μ_B,0.00μ_Bおよび2.00μ_B磁気モーメントを示した。しかし,単分子層を含むアンチサイト欠陥はゼロ磁気モーメントを示した。さらに,BeおよびCドープ単分子層は,それぞれ0.91μ_Bおよび1.09μ_B磁気モーメントを示したが,他のドーパントはゼロ磁気モーメントを示した。従って,In_V欠陥に対して最大3.00μ_Bの欠陥を誘起することにより,InN単分子層において磁性の開始を実現できた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気モーメント ,  対称性 ,  点欠陥 ,  半導体 ,  フォノン ,  *ベリリウム ,  単分子層 ,  ドーピング ,  窒化インジウム ,  *磁性 ,  ドーパント
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  形成エネルギー ,  バンド分散 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： III-V半導体 ,  窒化インジウム ,  欠陥 ,  d*±0ドーパント ,  磁性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： InN ,  単層 ,  欠陥 ,  軽元素 ,  Li ,  Be ,  π ,  磁性