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J-GLOBAL ID：202002281586163918   整理番号：20A0762457

動力学的に安定化した高温InN成長【JST・京大機械翻訳】

Kinetically stabilized high-temperature InN growth

著者 (10件)： Cross G. Brendan (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Ahmad Zaheer (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Seidlitz Daniel (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Seidlitz Daniel (Institute of Solid State Physics, Technical University of Berlin, Hardenbergstrasse 36, Berlin D-10623, Germany) ,  Vernon Mark (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Dietz Nikolaus (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Deocampo Daniel (Geosciences Department, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Gebregiorgis Daniel (Geosciences Department, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Lei Sidong (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA) ,  Kozhanov Alexander (Department of Physics and Astronomy, Center for Nano Optics, Georgia State University, 25 Park pl., Atlanta, GA 30303, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 536  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイグレーション増強プラズマ支援金属有機化学蒸着(MEPA-MOCVD)によるサファイア基板上の窒化インジウム成長について報告する。成長は,700°Cから957°Cの温度範囲で,通常のMOCVDにおける窒化インジウムの分解温度よりはるかに高い温度で研究される。Raman分光法,原子間力顕微鏡法およびX線回折は,多結晶粒状InN膜成長を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  X線回折 ,  エピタクシー ,  窒化インジウム ,  半導体 ,  MOCVD ,  プラズマ ,  分解温度 ,  多結晶 ,  窒化物 ,  *高温 ,  インジウム化合物 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： B2 半導体インジウム化合物 ,  B2 半導体III-V材料 ,  A3 マイグレーション増強エピタクシー ,  A3 有機金属化学蒸着 ,  B1 窒化物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 動力学 ,  安定化 ,  InN ,  成長