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J-GLOBAL ID：202002281616514007   整理番号：20A0599282

InAs/GaSb複合量子井戸のトポロジカル-非トポロジカル状態図と半金属挙動に及ぼすエピタキシャル歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of epitaxial strain on the topological-nontopological phase diagram and semimetallic behavior of InAs/GaSb composite quantum wells

著者 (7件)： Irie H. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Akiho T. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Coueedo F. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Ohana R. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Suzuki K. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Onomitsu K. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Muraki K. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 101  号： 7  ページ： 075433  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 輸送測定と8バンド[数式:原文を参照]計算により,量子スピンHall絶縁体のホスト構造であるInAs/GaSb複合量子井戸(CQW)の電子特性に及ぼすエピタキシャル歪の影響を調べた。結晶成長のための異なる基板とバッファ層構造を用いて,非常に異なる歪条件をもつ2種類の試料を調製した。ほとんど歪のないGaSb層を持つCQWは,バンド反転領域におけるトポロジーギャップの開口を反映する電荷中性点で抵抗ピークを示す。対照的に,GaSb層における0.50%の二軸引張歪を有するCQWsに対して,ギャップ閉鎖を示す半金属的挙動が,同じ程度のバンド反転に対して見出された。さらに,引張歪によって,トポロジー的および非トポロジー的領域の間の境界は,より大きなInAs厚さに位置した。8バンド[数式:原文を参照]計算により,GaSb中の引張歪は相境界をシフトさせるだけでなく,バンド構造を著しく変化させることが明らかになった。これは,間接ギャップの閉鎖をもたらし,トポロジー領域においてさえもシステムの半金属を作る。したがって,著者らの結果は,層の厚さと歪の関数としてトポロジー非トポロジー状態図の全体像を提供する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 開口 ,  位相幾何学 ,  *状態図 ,  バッファ層 ,  *エピタクシー ,  *半金属 ,  相境界 ,  二軸 ,  電荷 ,  *ヒ化インジウム ,  結晶成長 ,  *量子井戸 ,  *アンチモン化ガリウム ,  バンド構造
準シソーラス用語： 引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAs ,  GaSb ,  量子井戸 ,  トポロジカル状態 ,  半金属 ,  挙動 ,  エピタキシャル ,  歪