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J-GLOBAL ID:202002282117890045   整理番号:20A1877478

Ta_3N_5/Ta_5N_6複合光電極の界面特性に及ぼす酸素不純物濃度の影響:DFT計算【JST・京大機械翻訳】

Effects of oxygen impurity concentration on the interfacial properties of Ta3N5/Ta5N6 composite photoelectrode: A DFT calculation
著者 (10件):
資料名:
巻: 278  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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半導体Ta_3N_5の調製時に生成する金属Ta_5N_6はTa_3N_5と相互作用し,Ta_3N_5/Ta_5N_6複合光電極を形成する。酸素不純物はTa_3N_5における自然欠陥であり,その濃度はTa_3N_5/Ta_5N_6複合光電極の光電気化学性能とおそらく相関した。本研究では,Ta_3N_5/Ta_5N_6界面の特性に及ぼす酸素不純物濃度の影響を調べるために,密度汎関数理論計算を行った。結果は,Ta_3N_5/Ta_5N_6界面で,共有結合特性が酸素濃度の増加と共により明白になり,Ta_3N_5とTa_5N_6の間の強い結合に導くことを示した。Ta_5N_6と酸素ドープTa_3N_5間の接触はSchottky接合を形成した。Ta_3N_5/Ta_5N_6界面でのビルトインポテンシャルは酸素濃度と共に徐々に増加し,高酸素不純物濃度のドーピングがTa_3N_5からTa_5N_6への電子移動に有害であることを示唆した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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光化学反応 
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