文献

J-GLOBAL ID：202002282274567278   整理番号：20A2557483

フロースルー電極による高速容量脱イオン化システム【JST・京大機械翻訳】

High speed capacitive deionization system with flow-through electrodes

著者 (15件)： Guo Lu (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Ding Meng (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Yan Dong (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Yan Dong (International Collaborative Laboratory of 2D Materials for Optoelectronics Science and Technology of Ministry of Education, Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Yan Dong (Engineering Technology Research Center for 2D Material Information Function Devices and Systems of Guangdong Province, Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Pam Mei Er (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Vafakhah Sareh (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Gu Chengding (School of Materials and Energy, Yunnan University, Kunming 650091, China) ,  Zhang Wang (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Valdivia y Alvarado Pablo (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Valdivia y Alvarado Pablo (Digital Manufacturing and Design Centre, Singapore University of Technology and Design, Singapore 487372, Singapore) ,  Shi Yumeng (International Collaborative Laboratory of 2D Materials for Optoelectronics Science and Technology of Ministry of Education, Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Shi Yumeng (Engineering Technology Research Center for 2D Material Information Function Devices and Systems of Guangdong Province, Institute of Microscale Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Yang Hui Ying (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Yang Hui Ying (Digital Manufacturing and Design Centre, Singapore University of Technology and Design, Singapore 487372, Singapore)
資料名： Desalination  (Desalination)
巻： 496  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0934A  ISSN： 0011-9164  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 容量性脱イオン化(CDI)は,環境適合性と便利な電極再生による淡水供給を維持するための有望なアプローチと考えられている。新規CDI系として,フロースルー電極(FTE)CDIは,その構造的単純さ,高コンパクトセル,コスト有効性,および塩水の大規模淡水化に適用できる高速塩吸着動力学により,研究者の注目を引いている。しかし,FTE CDIアーキテクチャは,電極材料の選択を制限する機構による直接流を考慮して,堅牢な構造と好ましい透過性を有する電極を必要とする。ここでは,3次元TiO_2カプセル化カーボンナノファイバ(TiO_2@CNF)を作製するため,高速流入フラッシングで妥当な供給圧力に耐えるための良好な機械的安定性と高度に透過性のマクロ多孔性-メソポーラス構造を有する,表面エレクトロスピニング法を提案した。さらに,TiO_2@CNF電極は,高い電気伝導率と同様に,明白な擬似容量性能を示した。TiO_2@CNFとFTE CDI構造の両方の特徴を統合することにより,製造システムは1.4Vで15.50mg g-1の塩除去容量と1.26mg g-1 min-1の脱塩率を示した。TiO_2@CNFは将来の淡水化技術に向けたFTE CDIの有望な代替を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  生産システム ,  淡水 ,  フラッシング ,  脱塩 ,  電極材料 ,  *淡水化 ,  三次元 ,  有効性 ,  計算機アーキテクチャ ,  ロバスト性 ,  エレクトロスピニング
準シソーラス用語： メソポーラス ,  擬似容量 ,  *脱イオン化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TiO_2 ,  炭素ナノ繊維 ,  電極容量脱イオン化による流れ ,  エレクトロスピニング ,  脱塩

分類 (2件)： 用水の物理的処理  (SC02030T) ,  膜分離  (XD02120Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： フロー ,  脱イオン化