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J-GLOBAL ID：202002282442343940   整理番号：20A0881249

GaAs表面のNEA活性化中の仕事関数と対応する電子放出に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces

著者 (2件)： Sada Y. (Department of Physics, Tokyo University of Science, 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, Japan) ,  Meguro T. (Department of Physics, Tokyo University of Science, 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 513  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs表面の負の電子親和性(NEA)活性化過程の間の仕事関数と対応する量子効率の間の関係を定性的に調べ,正の電子親和性(PEA)表面とNEA表面の領域を決定した。NEAとPEAの2つの表面状態は,NEA活性化シーケンスにおけるCsとO_2の交互供給の間にスイッチされたことを見出した。清浄なGaAs上へのCs蒸着後のO_2の供給後,表面は数分間PEA状態を示し,電子放出の増加とともにNEA状態に変化した。NEA表面が形成されると,量子効率が増加する2つの領域があり,スペクトルの形状を変化させることもない場合もあった。一つの可能性として,量子効率の増大は電子放出サイトの数に関係し,種々の電子放出構造が存在すると考えられる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  セシウム ,  *ヒ化ガリウム ,  電子親和力 ,  蒸着 ,  量子効率 ,  スペクトル ,  *電子放出

著者キーワード (5件)： 負の電子親和力 ,  仕事関数 ,  NEA活性化 ,  Electron放出 ,  GaAs表面

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  光電子放出  (BM09030D) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  NEA ,  活性化 ,  仕事関数 ,  電子放出 ,  研究