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J-GLOBAL ID：202002282465269569   整理番号：20A2061972

UV-LED光重合の表面酸素阻害を低減するための浮遊アシルホスフィンオキシド系光開始剤の使用【JST・京大機械翻訳】

Use of floating acylphosphine oxide-based photoinitiators to reduce surface oxygen inhibition of UV-LED photopolymerization

著者 (6件)： Xie Gang (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, 510275, Guangzhou, China) ,  Shuai Zhenghao (School of Chemistry, Sun Yat-Sen University, 510275, Guangzhou, China) ,  Huang Yugang (School of Pharmaceutical Sciences, Guangzhou Medical University, 511436, Guangzhou, China) ,  Yu Mingguang (School of Materials Science and Energy Engineering, Foshan University, 528000, Foshan, China) ,  Zeng Zhaohua (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, 510275, Guangzhou, China) ,  Yang Jianwen (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, 510275, Guangzhou, China)
資料名： Progress in Organic Coatings  (Progress in Organic Coatings)
巻： 147  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0541C  ISSN： 0300-9440  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面酸素阻害抵抗を改善するための(TPO-F/Si/C12/C22)の一連のアシルホスフィンオキシド系自己浮遊光開始剤(PIs)を,エチルフェニル(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィナート(TPO-L)の従来のPIの修飾に従って合成した。4つの自己浮遊PIsは,それぞれフッ素,ポリシロキサン,C_12およびC_22長鎖脂肪族アルカンの低い表面自由エネルギー単位を有する。自己浮遊能力をUV吸収スペクトルにより評価し,さらにX線光電子分光法(XPS)および水接触角試験により確認した。PIの自己浮遊能力は,局所PI濃度を増加させることにより,表面酸素阻害を克服するアクリル単量体のUV-LED光重合を可能にし,ATR-IR,共焦点Raman顕微鏡(CRM)および光DSCにより証明された。自己浮遊能力は,上層のPIを濃縮し,表面酸素を消費し,樹脂表面の速い硬化を可能にして,より深いサイトへの酸素の更なる浸透を止めた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フッ素 ,  *酸素 ,  浮遊 ,  *光重合 ,  スペクトル ,  ポリシロキサン ,  X線光電子分光法 ,  上層 ,  *光開始剤 ,  水接触角 ,  共焦点Raman顕微鏡 ,  *紫外線発光ダイオード ,  ATR-IR分光法
準シソーラス用語： 表面自由エネルギー ,  *UV-LED ,  ATR-IR , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アシルホスフィンオキシド ,  自己浮遊光開始剤 ,  UV-LED光重合 ,  表面酸素阻害

分類 (3件)： 単独重合  (CG04020S) ,  塗料の性質  (YJ03020Q) ,  その他の原料・補助材料  (YJ03040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： UV-LED ,  光重合 ,  酸素 ,  阻害 ,  浮遊 ,  光開始剤