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J-GLOBAL ID：202002282479654929   整理番号：20A2017523

広帯域テラヘルツ近完全吸収体【JST・京大機械翻訳】

Broadband Terahertz Near-Perfect Absorbers

著者 (4件)： Cheng Xiaomeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), P. R. China) ,  Huang Rui (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), P. R. China) ,  Xu Jimmy (School of Engineering, Brown University, Rhode Island, United States) ,  Xu Xiangdong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 29  ページ： 33352-33360  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域テラヘルツ(THz)吸収体は,検出,変調,受信およびイメージングデバイスにおいて非常に望まれている。近完全吸収を有する新しい広帯域THzメタ表面の設計と成功した実装について報告した。従来の金属/誘電体/金属3層構造と異なり,設計したTHz吸収体は,1つ以上の金属層とトップの誘電体スペーサを持ち,その両方は200nm厚であった。全厚さは~7%増加したが,ほぼ完全なTHz吸収バンドは4×により著しく広がり,270GHzの広帯域吸収を達成した。広帯域,偏光非感受性,および近完全THz吸収も,これらのメタ吸収体における広い入射角にわたって観察され,電場と電力損失は主に付加的な薄い誘電体層に集中していた。このような広帯域THz吸収は,トップと中間金属層間の電磁結合と共振周波数の重なりにより達成された。この戦略は他のスペクトル成形デバイスに適応できる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  偏光 ,  誘電体 ,  感受性 ,  画像処理 ,  スペクトル ,  スペーサ ,  *広帯域 ,  電磁結合 ,  *吸収体 ,  共振周波数 ,  吸収バンド ,  入射角 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 電力損失 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： メタマテリアル吸収体 ,  広帯域 ,  広角応答 ,  偏光不感吸収 ,  テラヘルツ

分類 (5件)： 生体工学一般  (EL01000S) ,  分析機器  (CC02020S) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の高分子材料  (YH07150C) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 広帯域 ,  テラヘルツ ,  吸収体