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J-GLOBAL ID：202002282481306372   整理番号：20A1069653

NC-Si太陽電池用のGeリッチなNC-Si_xGe_1-x吸収層を作製するためのSi混入の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Si incorporation to produce Ge-rich nc-Si_xGe_1-x absorber layer for nc-Si solar cells

著者 (2件)： Dey Amaresh (Energy Research Unit, School of Materials Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata - 700 032, INDIA) ,  Das Debajyoti (Energy Research Unit, School of Materials Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata - 700 032, INDIA)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2220  号： 1  ページ： 090010-090010-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶シリコンゲルマニウム(nc-SiGe)薄膜は,多接合nc-Si太陽電池の底部セルにおける赤外吸収体層としての有用な応用のために注目されている。本研究では,Geに富むナノ結晶シリコン-ゲルマニウム合金(nc-Si_xGe_1-x)膜を通常のRF-PECVDにより成長させ,Siを低温(220°C)に効率的に組み込み,良好な結晶性を持つ高導電性nc-Geマトリックスを成長させた。Siの取り込みの影響をXRD,Raman,光吸収および電気伝導率測定によって研究した。前駆体ガス,SF=[SiH_4]/[(GeH_4)+(SiH_4)]=0.1の最適流量比で調製したnc-Si_xGe_1-x膜は,狭いバンドギャップ1.23eV,良好な電気伝導率4.72×10-4S.cm-1,対応する低活性化エネルギー167meV,および強度比<220>結晶方位0.66を示し,吸収層としての可能性があり,これは,タンデム型nc-Si太陽電池の底セルとして利用できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  活性化エネルギー ,  *太陽電池 ,  低温 ,  電気伝導率 ,  薄膜 ,  光吸収 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  結晶方位 ,  結晶度 ,  直列接続 ,  ゲルマニウム合金 ,  プラズマCVD ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： NC ,  Si ,  太陽電池 ,  Ge ,  吸収層 ,  作製 ,  混入