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J-GLOBAL ID：202002282963849230   整理番号：20A1075321

Darlington対トポロジーに基づくDC4GHz中間電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

A DC ~ 4GHz Medium Power Amplifier based on Darlington Pair Topology

著者 (4件)： He Zhengrong (Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp,Chongqing,China) ,  Wang Guoqiang (Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp,Chongqing,China) ,  Pu Yan (Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp,Chongqing,China) ,  Liu Chengpeng (Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp,Chongqing,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ITNEC  ページ： 1948-1952  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DC~4GHz中電力増幅器(MPA)を示した。全回路はDarlington対トポロジーを採用した。その入力と出力整合回路をチップ上に設計した。標準0.35μmシリコン-ゲルマニウム(SiGe)BiCMOSプロセスで作製した。それは,1GHzで16.1dBm,2GHzで14.9dBm,3GHzで14.0dBm,4GHzで13.1dBmの高出力1dB圧縮点(P-1dB)を達成した。入力帰還損失(S11)と出力リターン損失(S22)はDCから4GHzまで-10dB以下であり,入力と出力ポートが全周波数帯域で良好なインピーダンス整合を達成することを意味した。したがって,それは広帯域および高出力電力IFまたはRF増幅に非常に適している。さらに,提案したMPAと他のCMOSセル回路は,同じSiGe BiCMOSプロセスに基づくことができるので,モノリシック集積を実現するのが容易である。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *位相幾何学 ,  *電力増幅器 ,  広帯域 ,  BiCMOS ,  インピーダンス整合 ,  CMOS
準シソーラス用語： 高出力 ,  シリコンゲルマニウム ,  出力電力 ,  モノリシック集積化 ,  SiGe BiCMOS ,  出力側ポート ,  出力整合回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： トポロジー ,  電力増幅器