文献
J-GLOBAL ID:202002283077302952   整理番号:20A1235658

SnリッチCu2ZnSnS4系薄膜太陽電池のNa2S処理とポストアニールの効果

Effects of Na2S treatment and post-annealing on Sn-rich Cu2ZnSnS4-based thin film solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 59  号: SC  ページ: SCCD03 (5pp)  発行年: 2020年02月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,金属合金前駆体を硫化して作製したCZTS薄膜中に析出した二次相を除去するために,Na2Sによる化学エッチングと窒素雰囲気下でのアニールを組み合わせて行った。いずれの処理も,CZTS薄膜表面に析出したSnS2不純物結晶の除去に有効であることがわかった。また,いずれの処理も,主にSnが豊富なCZTSからのSn系二次相の溶解に有効であることがわかった。Na2Sエッチングでは,薄膜太陽電池の短波長域の分光感度が向上する一方で,500~700nmの波長域の分光感度が低下することがわかった。一方,ポストアニールでは,この波長領域の分光感度が向上し,その後のエッチングでは分光感度の低下は見られなかった。アニーリング処理後にNa2Sエッチングを行うことで,短波長・長波長領域ともに分光感度が向上し,4%以上の光電変換効率を実現した。この処理は,特にSnが豊富なCZTS吸収層において有効であり,他の処理方法と比較して,開回路電圧,短絡電流,フィルファクターが大幅に向上した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る