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J-GLOBAL ID：202002283150489096   整理番号：20A1252447

ハロゲン化物立方晶ペロブスカイトCsPbBr_3-yI_y(y=0,1,2,3)におけるバンドギャップ工学 DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Band gap engineering in halide cubic perovskites CsPbBr_3-yI_y (y = 0, 1, 2, 3) - A DFT study

著者 (4件)： Rajeswarapalanichamy R. (Department of Physics, N.M.S.S. Vellaichamy Nadar College, Madurai 625019, India) ,  Amudhavalli A. (Department of Physics, N.M.S.S. Vellaichamy Nadar College, Madurai 625019, India) ,  Padmavathy R. (Department of Physics, N.M.S.S. Vellaichamy Nadar College, Madurai 625019, India) ,  Iyakutti K. (Department of Physics, SRM Institute of Science and Technology, Chennai, Tamilnadu 603203, India)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 258  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハロゲン化物ペロブスカイト系太陽電池は,それらの優れた電力変換効率と低コストのために魅力的であった。鉛ベースのセシウムハロゲン化物ペロブスカイトCsPbBr_3-yI_y(y=0,1,2,3)の構造特性を,密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて研究した。CsPbBr_3-yI_y(y=0,1,2,3)の計算した電子構造プロファイルは,これらの材料が正常圧力で半導体挙動を示すことを明らかにした。CsPbBr_3のエネルギーギャップは,CsPbBr_3中の臭素原子に対するヨウ素原子の置換によって調整される。また,これらの材料のエネルギーギャップ値は圧力の増加とともに減少し,金属相転移への半導体は高圧で観察されることが分かった。入射光子エネルギー放射に対するこれらのPbベースのハロゲン化物ペロブスカイト化合物の光学的性質は,これらの材料が太陽電池応用のための有効な候補であることを示している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  相転移 ,  太陽電池 ,  電子構造 ,  半導体 ,  鉛 ,  臭素 ,  ヨウ素 ,  *ハロゲン化物 ,  *立方晶系 ,  密度汎関数法 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  電力変換効率 ,  ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 半導体 ,  ab initio計算 ,  電子構造 ,  光学的性質

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： ハロゲン化物 ,  立方晶 ,  ペロブスカイト ,  バンドギャップ ,  工学 ,  DFT ,  研究