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J-GLOBAL ID：202002283362265533   整理番号：20A0905217

Auger発生衝突平面III-VトンネルFETにおける横有効質量の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of transverse effective mass in Auger generation impacted planar III-V Tunnel FETs

著者 (3件)： Ahmed Sheikh Z. (University of Virginia,Charles L. Brown Department of Electrical and Computer Engineering,Charlottesville,Virginia,USA) ,  Tan Yaohua (Synopsys,San Jose,California) ,  Ghosh Avik W. (University of Virginia,Department of Physics,Charlottesville,Virginia,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： DRC  ページ： 95-96  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は,それらの優れた理論的性能のために,相補型金属酸化物半導体(CMOS)デバイスへの最も実行可能な代替の一つとして広く考えられてきた。実用的には,TFETs~1のサブ60mV/decの実証実験があるが,回路動作に必要なかなりの電流スイングを超えて許容電流レベルで実現されていない。従って,デバイス性能を改善するために,それらを低減する方法とともに,TFETs,主にトラップ支援トンネリング(TAT)およびAuger発生~2~4の一次デミッターを研究することが不可欠である。TFETsにおけるTATの効果は広く3,4に研究されている。ここでは,平面TFETにおけるAuger発生に対する横有効質量の役割を研究し,素子性能を改善する方法を提案した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  トンネル効果 ,  *有効質量 ,  実証実験 ,  CMOS
準シソーラス用語： 許容電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 衝突 ,  トンネルFET ,  有効質量 ,  役割