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J-GLOBAL ID：202002283386045771   整理番号：20A2233945

PECVDを用いた簡単なシャドウマスク法により堆積した単一接合a-Si:H p-i-n太陽電池の光起電力およびインピーダンス分光特性評価【JST・京大機械翻訳】

Photovoltaic and impedance spectroscopy characterization of single-junction a-Si:H p-i-n solar cells deposited by simple shadow masking techniques using PECVD

著者 (5件)： Belrhiti Alaoui Kawtar (Thin Film Photovoltaic Laboratory, Green Energy Park, Electric and Photovoltaic Department, Institute for Solar Energy and New Energies (IRESEN), Ben Guerir, Morocco) ,  Laalioui Saida (Thin Film Photovoltaic Laboratory, Green Energy Park, Electric and Photovoltaic Department, Institute for Solar Energy and New Energies (IRESEN), Ben Guerir, Morocco) ,  Naimi Zakaria (Thin Film Photovoltaic Laboratory, Green Energy Park, Electric and Photovoltaic Department, Institute for Solar Energy and New Energies (IRESEN), Ben Guerir, Morocco) ,  Ikken Badr (Thin Film Photovoltaic Laboratory, Green Energy Park, Electric and Photovoltaic Department, Institute for Solar Energy and New Energies (IRESEN), Ben Guerir, Morocco) ,  Outzourhit Abdelkader (Nanomaterials for Energy and Environment Laboratory (N2EL), Faculty of Sciences Semlalia, Sciences and Technics Department, Cadi Ayad University, Marrakech, Morocco)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 9  ページ： 095315-095315-10  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1×1cm2活性表面積を有する水素化非晶質シリコンp-i-n太陽電池を,フッ素ドープ酸化スズ膜で被覆した20×20cm2ガラス基板上にシャドウマスクを用いて作製した。固有,n型水素化非晶質シリコン(a-Si:H)およびp型a-SiC:H薄膜を,13.56MHzプラズマ励起周波数および20×20cm2およびSnO_2:F被覆ガラス基板上にプラズマ増強化学蒸着を用いて堆積した。この目的のために,低いrf電力密度(0.1W/cm2以下)と基板温度(190°C以下)を用いた。膜のRamanスペクトルは,全3タイプの膜に対して非晶質シリコンネットワークの特性である480cm-1付近の広いピークによって支配された。走査電子顕微鏡測定はSnO_2:F被覆ガラス基板(Asahi-VU)上に堆積したa-Si:H膜の表面がSnO_2:F膜の集合組織を複製することを明らかにした。分光学的偏光解析法スペクトルをTauc-Lorentz分散モデルで解析し,その結果,固有a-Si:H膜の光学ギャップは1.7eVのオーダーであり,a-SiC:Hのそれは1.8eVのオーダであることが分かった。これらの結果を光透過測定により確認した。著者らの条件下でシャドウマスキングで調製した太陽電池で得られた最高の効率は,0.856VのV_oc,15.6mA/cm2の短絡電流密度,および66.07%のフィルファクタを有する8.83%のオーダーであった。得られた効率は,低い短絡回路電流がフィルファクタをわずかに低下させるので,レーザスクライビングにより調製された電池群(10.3%)で得られた記録効率よりもわずかに低い。インピーダンススペクトル測定を,1kHz~100kHzの周波数範囲で暗所のセルで行った。Nyquist線図またはBodeダイアグラムにおけるインピーダンスの解析は,p-i-n構造を説明する抵抗R_pとキャパシタンスC_pの並列組合せを有する直列の抵抗R_sから成る集中回路を示唆した。R_pの値は印加DCバイアスにより変化した。直列抵抗の値は電池の電流-電圧特性から得られた値と一致した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *インピーダンス ,  プラズマ ,  走査電子顕微鏡 ,  *太陽電池 ,  電子顕微鏡観察 ,  *電池 ,  薄膜 ,  被覆 ,  電流電圧特性 ,  水素化 ,  静電容量 ,  *プラズマCVD ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  フィルファクタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： PECVD ,  シャドウマスク ,  堆積 ,  Si ,  太陽電池 ,  光起電力 ,  インピーダンス ,  分光特性 ,  評価