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J-GLOBAL ID：202002283487671813   整理番号：20A2239593

加熱in-situ TEMによるアモルファスSi膜の結晶成長メカニズム解析

Analysis of crystal growth mechanism in amorphous Si films by in-situ heating TEM

著者 (4件)： 垂水喜明 (東レリサーチセ) ,  林将平 (東レリサーチセ) ,  川崎直彦 (東レリサーチセ) ,  大塚祐二 (東レリサーチセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15p-A305-5  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 概要. 現在、メモリデバイスや薄膜トランジスタのチャネル層などにおいて多結晶Si膜が広く使用されている。多結晶Si膜は、アモルファスSi(a-Si)膜に熱処理を施し結晶化することにより形成される。その結晶成長を制御するために、加熱をしながら...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶化 ,  *結晶成長 ,  結晶粒界 ,  電子回折 ,  熱処理 ,  *ケイ素 ,  薄膜トランジスタ ,  二酸化ケイ素 ,  *非晶質 ,  結晶粒 ,  動画像 ,  昇温 ,  成長速度 ,  集束イオンビーム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： TEM ,  アモルファス ,  Si膜 ,  結晶成長 ,  メカニズム解析