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J-GLOBAL ID：202002283688766297   整理番号：20A2269213

Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜の銀表面処理:CdS/CIGSヘテロ接合界面のための新しい不動態化プロセス【JST・京大機械翻訳】

Silver Surface Treatment of Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) Thin Film: A New Passivation Process for the CdS/CIGS Heterojunction Interface

著者 (9件)： Zhang Yunxiang (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Hu Zhaojing (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Lin Shuping (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Wang Chaojie (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Cheng Shiqing (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  He Zhichao (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Zhou Zhiqiang (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Sun Yun (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China) ,  Liu Wei (Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photoelectronic Technology, Ministry of Education, Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin, 300350, P. R. China)
資料名： Solar RRL  (Solar RRL)
巻： 4  号： 10  ページ： e2000290  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3682A  ISSN： 2367-198X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)ベースの太陽電池の界面工学は,高効率デバイス,特にCdS/CIGSヘテロ接合界面に対して挑戦的である。最近,CIGS表面の後処理は,CdS/CIGS界面での欠陥を不動態化する効率的な方法として,広く注目されている。ここでは,簡単なAg表面処理プロセスを用いて,界面欠陥の不動態化とCdS/CIGSヘテロ接合の増強を実現した。このプロセスはCIGS膜の表面粗さを著しく低下させるだけでなく,表面層のGa組成の制御にも寄与する。さらに,キャラクタリゼーション技法は,Ag表面処理がヘテロ接合界面での欠陥濃度を効果的に減少させ,適切なAg堆積持続時間でCdS/CIGSヘテロ接合品質を増強することを明らかにした。Ag表面処理に起因する変化欠陥レベルに関するさらなる研究は,欠陥レベルの増大が価電子帯最大値のシフトに関係することを示した。最終的に,最適デバイスの効率は,参照太陽電池と比較して約18%の相対的増加を有した。本研究は,CdS/CIGSヘテロ接合の不動態化のための新しい表面処理法を提供する,Agによって引き起こされるCIGS表面とCdS/CIGS界面の違いを明らかにする。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  太陽電池 ,  *薄膜 ,  *表面処理 ,  *ガリウム ,  *銀 ,  *不動態化 ,  *硫化カドミウム ,  価電子バンド ,  欠陥準位
準シソーラス用語： 高効率 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 ,  CIGS太陽電池 ,  *ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ag表面処理プロセス ,  CIGS太陽電池 ,  ヘテロ接合 ,  界面工学

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： Cu ,  Ga ,  CIGS ,  薄膜 ,  銀 ,  表面処理 ,  CdS ,  ヘテロ接合界面 ,  不動態化 ,  プロセス