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J-GLOBAL ID:202002283753469172   整理番号:20A2532007

空気中で特性化したSiO_2基板により支持した単層グラフェン上の雲母ナノ層の接着【JST・京大機械翻訳】

The adhesion of a mica nanolayer on a single-layer graphene supported by SiO2 substrate characterised in air
著者 (6件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 045701 (8pp)  発行年: 2021年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二次元ナノ層は,現代のフレキシブル電子デバイスにおいてますます広く応用されている。隣接層とのそれらの接着は,それらのデバイスの機械的安定性と信頼性に著しい影響を与える。しかし,このような接着の測定は大きな課題である。本研究では,SiO_2基板によって支持された雲母ナノ層(MNL)と単層グラフェン(SLG)の間の界面付着を測定する新しい簡単な方法を開発した。この方法はよく知られたObreimoff法に基づいているが,革新的ナノマニピュレーションとプロファイル測定手法を統合した。本研究は,SLG/SiO_2基板系上のMNLの付着エネルギーはSiO_2基板のみのそれよりかなり低いことを示した。定量分析は,SLG上に形成された皺が接着をかなり低下させることを明らかにした。この結果は,フレキシブル電子デバイスにおけるグラフェン層中の皺形成を制御することで,接着が調整されるので,技術的価値である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  トランジスタ 

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