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J-GLOBAL ID：202002283891009970   整理番号：20A0394634

ボロン酸誘導体を用いたDNTT系有機電界効果トランジスタの界面修飾【JST・京大機械翻訳】

Interface modification of DNTT-based organic field effect transistors using boronic acid derivatives

著者 (8件)： Alic Tugbahan Yilmaz (Departmant of Physics, Selcuk University, Konya, Turkey) ,  Alic Tugbahan Yilmaz (Laboratoire IMS, Universite de Bordeaux, UMR CNRS 5218, ENSCBP, Pessac, France) ,  Ablat Abduleziz (Laboratoire IMS, Universite de Bordeaux, UMR CNRS 5218, ENSCBP, Pessac, France) ,  Kyndiah Adrica (Laboratoire IMS, Universite de Bordeaux, UMR CNRS 5218, ENSCBP, Pessac, France) ,  Nicolas Yohann (C2M-ISM, Universite de Bordeaux, 351 Cours de la Libration, 33405 Talence, France) ,  Can Mustafa (Departmant of Engineering Sciences, Katip Celebi University, Izmir, Turkey) ,  Kus Mahmut (Department of Chemical Engineering, Konya Technical University, Konya, Turkey) ,  Abbas Mamatimin (Laboratoire IMS, Universite de Bordeaux, UMR CNRS 5218, ENSCBP, Pessac, France)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 6  ページ： 065108 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)における誘電体/半導体界面はそれらの性能に重要である。機能性分子によるこの界面の修飾は,センサとしての応用のための広範囲の可能性を提供する。本研究では,ボロン酸分子を用いて,ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェン系OFETにおけるSiO_2誘電体表面を修飾した。閾値電圧を最も顕著に含む素子パラメータは著しく改善された。誘電体/半導体界面を接触角や原子間力顕微鏡のような種々の測定技術を用いて解析した。本研究は,容易に機能化可能なボロン酸誘導体がOFETsの素子性能を改善し,センシング応用に使用するためのこのような界面修飾OFETsの更なる研究の基礎を与えるという証拠を提供した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  半導体 ,  *界面 ,  原子間力顕微鏡 ,  センサ ,  接触角
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *有機FET ,  *ボロン酸類 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ボロン酸 ,  誘導体 ,  DNTT ,  有機電界効果トランジスタ ,  界面 ,  修飾