文献

J-GLOBAL ID：202002283913780736   整理番号：20A0432518

高出力および高温応用のための増強モードGaN-GITのモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of Enhancement-Mode GaN-GIT for High-Power and High-Temperature Application

著者 (3件)： Shamsir Samira (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Missouri, Columbia, MO, USA) ,  Garcia Frances (AECOM Supporting NSWC Crane, Crane, IN, USA) ,  Islam Syed K. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Missouri, Columbia, MO, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 2  ページ： 588-594  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高出力応用のための増強モードGaNデバイスの解析モデルを示した。本論文で示した解析モデルに組み込まれたゲート電極の下にp型GaN層を挿入することにより,正のしきい値電圧が達成されるGaNゲート注入トランジスタ(GIT)デバイスに対して,このモデルを具体的に開発した。さらに,高出力応用のための増強モードGaNトランジスタの動作は,より高いゲートバイアスにおいてキャリア漏れにより著しく影響される。したがって,このモデルは,トランジスタの二次元電子ガス(2DEG)チャネルに隣接する障壁層における平行伝導と,デバイス動作における移動度と電荷密度の劣化を考慮することにより,キャリアスピルオーバの影響も含んでいる。さらに,GaN材料の高い電力散逸と低い熱伝導率のために,素子性能は高温で劣化する。本論文では,温度により変化するデバイスパラメータの温度指数を考慮することにより,素子の高温動作をモデル化した。高電流密度では,素子は顕著な自己加熱効果を示し,同様の方法を用いてモデル化した。全体モデルを実験的に測定したデータと比較し,優れた一致を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱伝導率 ,  二次元電子ガス ,  *高温 ,  スピルオーバ ,  移動度 ,  チャネル ,  *窒化ガリウム ,  トランジスタ ,  解析モデル
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  電荷密度 ,  バリア層 ,  ゲートバイアス ,  閾値電圧 ,  ゲート電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高出力 ,  応用 ,  増強 ,  GaN ,  Git ,  モデリング