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J-GLOBAL ID：202002283940572526   整理番号：20A1026308

高温アニーリング後のSi上のZnO薄膜の構造と近バンド端発光に及ぼすYbドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Yb doping on the structure and near band-edge emission of ZnO thin films on Si after high temperature annealing

著者 (9件)： Heng C.L. (Micro-nano Center, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Zhao C.N. (Micro-nano Center, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Zhang L. (Micro-nano Center, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Xiang W. (Micro-nano Center, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Su W.Y. (Micro-nano Center, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Yin H.X. (Micro-nano Center, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, PR China) ,  Gao Y.K. (Key Laboratory of Bio-Inspired Smart Interfacial Science and Technology of Ministry of Education, School of Chemistry and Environment, Beihang University, Beijing, 100191, PR China) ,  Yin P.G. (Key Laboratory of Bio-Inspired Smart Interfacial Science and Technology of Ministry of Education, School of Chemistry and Environment, Beihang University, Beijing, 100191, PR China) ,  Finstad T.G. (Physics Department, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316, Oslo, Norway)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 222  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高温アニーリング後のSi上のZnO薄膜の構造とバンド端近傍(NBE)光ルミネセンス(PL)に及ぼすイッテルビウム(Yb)ドーピング濃度の影響を調べた。膜はAr:O_2雰囲気中でマグネトロンスパッタリングにより作製した。膜の構造をRutherford後方散乱分光法,X線回折(XRD),走査電子顕微鏡,およびX線光電子分光法によって研究した。XRDは,ZnOの結晶度が700~1000°Cの範囲でアニーリング温度と共に向上することを示した。1000°Cのアニーリングの後,膜の結晶性は全体的に,Yb濃度が1.35at.%まで増加すると全体的に改善されることを示した。より高い温度では,膜はSi基板と反応して,ZnとYbを有するケイ酸塩を形成し,Ybは膜中に再分布し,Si基板に向かって堆積した。PL測定は,膜のNBE PL強度がアニーリング温度とYb濃度の変化に対する結晶度と相関することを示した。PL励起測定は,Yb添加で調製した膜が非ドープZnOよりも高いNBE PL効率を有するが,ホストZnOとYbイオン間のエネルギー移動は効率的でないことを示唆した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  イオン ,  エネルギー移動 ,  *高温 ,  *焼なまし ,  走査電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  ケイ酸塩 ,  *亜鉛 ,  *イッテルビウム ,  *ケイ素 ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  結晶度
準シソーラス用語： アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnO薄膜 ,  Ybドーピング ,  近バンド端PL ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： アニーリング ,  Si ,  ZnO薄膜 ,  バンド端発光 ,  Yb ,  ドーピング