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J-GLOBAL ID：202002284016191730   整理番号：20A1085945

Cu(In_1-xGa_x)Se_2ベース光電陰極の性能制限パラメータの理論的展望【JST・京大機械翻訳】

Theoretical perspective of performance-limiting parameters of Cu(In_1-xGa_x)Se₂-based photocathodes

著者 (5件)： Nandal Vikas (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Suzuki Yohichi ,  Kobayashi Hiroyuki ,  Domen Kazunari ,  Seki Kazuhiko
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 8  号： 18  ページ： 9194-9201  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 世界的にエネルギー需要の増加に伴い,光電気化学的水分解による人工光合成は,持続可能で環境に優しいエネルギー資源を実現する有望なアプローチとして注目されている。光起電力の優れた効率改善のために,かなりの研究は効率的水素発生のためのCu(In_1-xGa_x)Se_2(CIGS)ベース光電陰極の開発に焦点を合わせた。光電陰極のデバイスと材料を最適化するためには,電荷キャリアの発生,分離,輸送の背後にある物理を理解することが不可欠である。ここでは,CdS/CIGSベース光電陰極を,このような効果を研究し,種々の性能制限パラメータを明らかにするために,光学的および電気的シミュレーションを用いてモデル化した。モデルは実験結果で良く較正された。特に,(a)太陽から水素への変換または理想的な再生セル効率は,CdS/CIGS界面での欠陥,CIGS中のバルク欠陥,およびプロトンとの電子の表面反応速度によって強く支配され,(b)モル分率の増加に伴う開始電位飽和は,(c)太陽電池に対する対応するものよりも高い。これらの結果は,p-nヘテロ接合光触媒素子の開発のための理論的プラットフォームを構築するための重要なステップを表している。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  界面 ,  光起電力 ,  最適化 ,  シミュレーション ,  太陽 ,  太陽電池 ,  電位 ,  陽子 ,  水素 ,  硫化カドミウム ,  *光電陰極 ,  光触媒 ,  水分解 ,  電荷キャリア ,  改変

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  気体燃料の製造  (YE02030F)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  光電陰極 ,  制限 ,  パラメータ ,  理論 ,  展望