文献

J-GLOBAL ID：202002284080432779   整理番号：20A1558972

ゲート誘電体表面に化学的に固定した非晶質ペルフルオロポリマによる高分子有機電界効果トランジスタの操作安定性増強【JST・京大機械翻訳】

Operational Stability Enhancement of Polymeric Organic Field-Effect Transistors by Amorphous Perfluoropolymers Chemically Anchored to Gate Dielectric Surfaces

著者 (7件)： Bulgarevich Kirill (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Bulgarevich Kirill (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8571, Japan) ,  Sakamoto Kenji (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Yasuda Takeshi (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, 305-0047, Japan) ,  Minari Takeo (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Takeuchi Masayuki (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, 305-0047, Japan) ,  Takeuchi Masayuki (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8571, Japan)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 7  ページ： e2000161  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマーベースの有機電界効果トランジスタ(OFET)のBiasストレス耐性は,アモルファスペルフルオロポリマー(CYTOP)でゲート誘電体表面を被覆することによってかなり強化される。比較的簡単な製造プロセスを提供するボトムゲート(BG)OFETでは,CYTOP被覆は重大な問題を引き起こす。即ち,有機半導体高分子の薄膜形成は一般にCYTOPの疎油性特性により失敗する。この問題は,適切な設計でCYTOP被覆層をパターン化することによって解決される。ここでは,アミドシリル官能基で終端したCYTOPを用いて簡単な光パターニング法を確立した。この方法は,CYTOP被覆層の自己制限薄化プロセス,フォトマスクによる真空紫外線への曝露,および開発から成る。半導体高分子としてポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェンを用いてBG/トップコンタクトOFETアレイを作製した。初期電気特性とバイアス応力抵抗をオクタデシルトリクロロシラン(ODTS)処理ゲート誘電体を有するOFETのものと比較した。CYTOP-OFETとODTS-OFETは,非常に小さなデバイス対デバイス変化で,ほぼ同じ初期電気特性を示し,一方,CYTOP-OFETは,はるかに高い固有バイアス-応力抵抗を示した。したがって,簡単な光パターニング法と組み合わせたスピンコーティングは,CYTOP層上に高分子有機半導体層を形成でき,非常に高い操作安定性を示すBG OFETを生成する有望な技術である。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 重合体 ,  有機半導体 ,  被覆 ,  *非晶質 ,  真空紫外線 ,  電気特性 ,  高分子半導体 ,  生産工程 ,  パターン形成 ,  スピンコーティング ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 官能基 ,  *有機FET ,  疎油性 ,  ボトムゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バイアスストレス効果 ,  有機電界効果トランジスタ ,  ペルフルオロポリマー ,  高分子有機半導体 ,  自己制限細線化プロセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート誘電体 ,  化学 ,  非晶質 ,  フルオロポリマ ,  高分子 ,  有機電界効果トランジスタ ,  安定性 ,  増強