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J-GLOBAL ID：202002284285389920   整理番号：20A1191994

二次元Crsite_3に基づく高性能広帯域光および軟X線検出器【JST・京大機械翻訳】

High performance broadband photo and soft X-ray detectors based on two dimensional CrSiTe₃

著者 (13件)： Li Yun (Department of Materials Science and Engineering, and ARC Centre of Excellence in Future Low-Energy Electronics Technologies (FLEET), Monash University, Clayton, Victoria 3800, Australia. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Jingying ,  Su Xin ,  Ou Qingdong ,  Wan Zhichen ,  Wu Yingjie ,  Yu Wenzhi ,  Bao Xiaozhi ,  Huang Yamin ,  Wang Xiaomu ,  Tadich Anton ,  Shabbir Babar ,  Bao Qiaoliang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 20  ページ： 6659-6666  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域光検出器は,分光法,通信,イメージングおよびセンシングを含む様々な応用に必須である。少数の材料が広帯域光検出を示すにもかかわらず,それらは赤外(IR)から紫外(UV)波長までの限られたスペクトル範囲で光を検出することができるだけである。しかし,イオン化放射のような非常に短い波長でのそれらの機能性は,材料特性からの限界のために依然として挑戦を提示している。ここでは,近赤外(NIR)と可視波長範囲で軟X線と光の両方を効率的に検出できるvan der Waals(vdWs)磁性材料CrSiTe_3(CST)に基づく室温,高性能広帯域光検出器を実証した。CrSiTe_3ベースのデバイスは,シンクロトロン軟X線の下で高感度(≒463μCGy_空気~-1cm-2)で動作することができ,従来のα-Seデバイスよりも20倍以上高感度である。NIR範囲において,デバイスは785nmで約206AW-1の最大応答性,32600%の極端に高い外部量子効率(EQE),1.25×1012cmHz1/2W-1の検出能,および比較的速い光応答時間(X線下での立上り時間~43ms,785nmレーザ下で17ms)を達成できた。これらの結果は,高性能広帯域写真とX線検出器を実証し,新しいオプトエレクトロニクス応用のための興味深い機会を提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  シンクロトロン ,  赤外線 ,  *軟X線 ,  光検出器 ,  応答特性 ,  波長 ,  画像処理 ,  スペクトル ,  近赤外線 ,  オプトエレクトロニクス ,  *二次元 ,  光検出 ,  *広帯域
準シソーラス用語： 外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  広帯域 ,  軟X線 ,  検出器