文献
J-GLOBAL ID:202002284295337761   整理番号:20A2638951

LiTaO_3薄膜ベースセンサの電気的性質に及ぼす酸化インジウム(In_2O_3)ドーパントの影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of indium oxide (In2O3) dopant on the electrical properties of LiTaO3 thin film-based sensor
著者 (5件):
資料名:
巻: 568  号:ページ: 55-61  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0777A  ISSN: 0015-0193  CODEN: FEROA8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,タンタル酸リチウム(LiTaO_3)薄膜ベースセンサの電気的性質に及ぼす酸化インジウム(In_2O_3)ドーパントの影響を調べた。LiTaO_3薄膜を化学溶液堆積(CSD)法を適用してp型Si(100)基板上に作製した。LiTaO_3薄膜を850°Cの温度で15時間アニールした。SEM-EDX(走査電子顕微鏡-エネルギー分散X線分光法)を用いて,表面形態と元素キャラクタリゼーション分析を得た。次に,LiTaO_3薄膜の誘電率値と光抵抗特性を測定し,薄膜の電気的性質に及ぼすIn_2O_3ドーパントの影響を決定した。SEM-EDX測定から,薄膜の表面はまだ不均一であることが観察された。したがって,電子流は妨げられる。元素原子組成分析に基づいて,インジウム原子がIn_2O_32%,4%および6%でドープしたLiTaO_3薄膜中に現れると思われる。薄膜誘電率計算の結果から,アンドープとIn_2O_3ドープLiTaO_3薄膜間の誘電率値は変化せず,2.44であった。光抵抗値は,インジウムドーパントが抵抗率を低下させるが,薄膜の伝導率を増加させることを示した。光抵抗特性測定結果に基づいて,LiTaO_3薄膜が光センサとして使用でき,In_2O_3ドーパントがLiTaO_3薄膜の伝導率を増加させると結論した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る