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J-GLOBAL ID：202002284382906829   整理番号：20A1231355

SFG分光法により研究したミスカットSi(111)表面上のステップからの水素の脱着

Desorption of Hydrogen from the Steps on the Miscut Si(111) Surface Studied by SFG Spectroscopy

著者 (4件)： Mizutani Goro (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  Yong Zhipeng (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  Hien Khuat Thi Thu (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  Rutt Harvey N. (School of Electronics and Computer Science, University of Southampton)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 18  ページ： 180-184(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空中の[112]方向に対して9.5°のミスカット角をもつステップSi(111)表面上の水素の脱着を調べるために和周波数発生(SFG)分光法を用いた。テラスピークは2085cm^-1で観測され,二水素化物の垂直ステップモードは,ssp偏光(s偏光SFG,s偏光可視,およびp偏光赤外光)に対して2098cm-1で観測された。これら二つのピークの強度低下を,試料温度593Kで時間の関数として直接モニターした。還元速度はテラス一水素化物ピークよりも二水素化物ピークの方が速かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  結晶面 ,  切断 ,  表面ステップ ,  *水素 ,  *脱着 ,  スペクトロスコピー ,  *和周波数発生 ,  水素化物 ,  活性化エネルギー ,  表面テラス
準シソーラス用語： *SFG分光法 ,  ミスカット ,  単結晶シリコン

著者キーワード (4件)： 光和周波数発生(SFG) ,  水素化および階段状Si(111)表面 ,  二水素化物 ,  脱着活性化エネルギー

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  非線形光学  (BD05000T)

引用文献 (23件)：

• [1] A. Vilan, O. Yaffe, A. Biller, A. Salomon, A. Kahn, and D. Cahen, Adv. Mater. 22, 140 (2010).
• [2] P. Gupta, V. L. Colvin, and S. M. George, Phys. Rev. B 37, 8234 (1988).
• [3] G. Schulze and M. Henzler, Surf. Sci. 124, 336 (1983).
• [4] B. G. Koehler, C. H. Mak, D. A. Arthur, P. A. Coon, and S. M. George, J. Chem. Phys. 89, 1709 (1988).
• [5] M. L. Wise, B. G. Koehler, P. Gupta, P. A. Coon, and S. M. George, Surf. Sci. 258, 166 (1991).

タイトルに関連する用語 (6件)： SFG分光法 ,  研究 ,  ミスカット ,  Si ,  水素 ,  脱着