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J-GLOBAL ID：202002284413338615   整理番号：20A1174457

状態分解バンド様輸送を示す量子ドット固体【JST・京大機械翻訳】

Quantum dot solids showing state-resolved band-like transport

著者 (7件)： Lan Xinzheng (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA) ,  Chen Menglu (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA) ,  Hudson Margaret H. (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA) ,  Kamysbayev Vladislav (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA) ,  Wang Yuanyuan (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA) ,  Guyot-Sionnest Philippe (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA) ,  Talapin Dmitri V. (Department of Chemistry and James Franck Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 19  号： 3  ページ： 323-329  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)膜における電荷移動度の改善は,光検出器,太陽電池および発光ダイオードの性能にとって重要である。しかし,これらの応用は,良く定義されたQD電子状態と光学遷移の保存を必要とする。ここでは,離散QD状態を通して輸送された電荷に対して高い移動度を示すHgTe QD膜を示した。ハイブリッド表面不動態化プロセスは,表面状態を効率的に除去し,可変同調空気安定nとpドーピングを提供し,強いコンダクタンス変調により明らかにされたQD状態のヒステリシスのない充填を可能にした。室温で乾燥したQD膜は,処理後に,QD当たり1電子以下の低キャリア密度でμ8cm~2V~-1s-1までの移動度を示し,77Kまでのバンド様挙動と全ての温度で類似のドリフトとHall移動度を示した。電子特性のこの前例のないセットは,QD固体における輸送のための非局在化とホッピング機構に関する重要な疑問を提起し,QD技術を改善する機会を紹介する。表面不動態化HgTe量子ドットの膜において,量子閉じ込め状態の特徴を保持しながら高い電荷移動度を得た。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Limited 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall移動度 ,  移動度 ,  発光ダイオード ,  キャリア移動度 ,  太陽電池 ,  光検出器 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  ホッピング伝導 ,  テルル化水銀 ,  *量子ドット ,  コンダクタンス ,  電子状態
準シソーラス用語： 可変同調 ,  表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分解 ,  バンド ,  輸送 ,  量子ドット ,  固体