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J-GLOBAL ID：202002284497621286   整理番号：20A2553342

並列GaN HEMTの電流分布モニタリング【JST・京大機械翻訳】

Current Distribution Monitoring of Paralleled GaN HEMTs

著者 (3件)： Niakan Hossein (University of North Carolina at Charlotte,Energy Production & Infrastructure Center (EPIC),Electrical and Computer Engineering Department,Charlotte,North Carolina,USA) ,  Sirat Ali Parsa (University of North Carolina at Charlotte,Energy Production & Infrastructure Center (EPIC),Electrical and Computer Engineering Department,Charlotte,North Carolina,USA) ,  Parkhideh Babak (University of North Carolina at Charlotte,Energy Production & Infrastructure Center (EPIC),Electrical and Computer Engineering Department,Charlotte,North Carolina,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 2865-2870  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ(WBG)半導体技術の最近の進歩に基づいて,高出力高周波WBG電力変換器に向けて大きな関心が発展した。WBGデバイスの優れた特性を考えると,これらの電力MOSFETを並列化することにより,より高い電力密度を達成できる。このような設計の性能を最適化するために,全ての並列デバイス間のバランス電流分布を確保することが重要である。したがって,最適化設計性能を確保するために,この電流分布を監視する手段が必要である。本研究では,点場検出器の性能をシミュレートし,電流ミスマッチ検出器として役立つために詳細に実験した。この新しい測定技術は,並列GaN HEMTデバイスの各対間の電流差の直接測定を可能にする。詳細な電磁シミュレーションは不整合センサ概念を証明し,単一ターンコイルに対して12.7mV/Aの感度を確認した。さらに,実験結果は4ターンコイルプロトタイプに対して約23mV/Aの感度を確認した。付加補助電流ミスマッチセンサは,WBG電力モジュールを最適化し保護するためにさらに使用できる電流共有に関する十分な情報を提供する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *電流 ,  最適設計 ,  *電流分布 ,  HF【周波数】 ,  電力変換器 ,  検出器 ,  不整合 ,  センサ
準シソーラス用語： 電力密度 ,  ワイドバンドギャップ ,  パワーMOSFET ,  パワーモジュール ,  直接測定 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  電流分布 ,  モニタリング