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J-GLOBAL ID：202002284506873263   整理番号：20A0579960

GaNとAl_xGa_1-xN薄膜のフェムト秒レーザ誘起二光子吸収:合金化とドーピングによる非線形光学応答の調整【JST・京大機械翻訳】

Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and Al_xGa_1-xN thin films: Tuning the nonlinear optical response by alloying and doping

著者 (10件)： Vivas M.G. (Laboratorio de Espectroscopia Optica e Fotonica, Universidade Federal de Alfenas, Pocos de Caldas, MG, Brazil) ,  Manoel D.S. (Sao Carlos Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Dipold J. (Sao Carlos Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Martins R.J. (Sao Carlos Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Fonseca R.D. (Departamento de Fisica, Universidad Popular del Cesar, Barrio Sabana, 2000004, Valledupar, Cesar, Colombia) ,  Manglano-Clavero I. (Institute of Semiconductor Technology and Laboratory for Emerging Nanometrology LENA, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany) ,  Margenfeld C. (Institute of Semiconductor Technology and Laboratory for Emerging Nanometrology LENA, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany) ,  Waag A. (Institute of Semiconductor Technology and Laboratory for Emerging Nanometrology LENA, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany) ,  Voss T. (Institute of Semiconductor Technology and Laboratory for Emerging Nanometrology LENA, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany) ,  Mendonca C.R. (Sao Carlos Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Carlos, SP, Brazil)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 825  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体薄膜は現代技術の基礎である。バルク半導体の非線形光学(NLO)特性は過去30年間に系統的に研究されてきたが,NLO実験における高いレーザ照射量が薄膜を不可逆的に損傷する傾向があるので,半導体薄膜に対してそれらを得ることは依然として大きな課題である。さらに,合金化とドーピングによる半導体薄膜のNLO応答の調整はまだ探求されていない。ここでは,Al_xGa_1-xN薄膜におけるアルミニウム含有量の影響と,それらの二光子吸収(2PA)係数に及ぼすGaN薄膜中のn型ドーピング濃度の影響を研究した。これに対して,5つの異なるGaN系薄膜を調べた:参照としてAlを含まない非意図的にドープされた薄膜,異なる濃度のケイ素不純物をもつ2つのn型ドープGaN膜,およびアルミニウム含有量がそれぞれ5.5%および9.0%の2つのAl_xGa_1-xN合金。フェムト秒2PAスペクトルは,ドーピング不純物が非線形係数(~10%)を減少させるが,Alとの合金化は2PA係数を30%まで高めることを明らかにした。BrandiとAraujoのモデルを用いて,各試料に対する遷移行列要素に関連するKaneのエネルギーパラメータを決定し,それらを,優れた一致が見出されるk・p理論に基づく最近の理論的研究と比較した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルミニウム ,  スペクトル ,  *ドーピング ,  フェムト秒 ,  *非線形光学 ,  *薄膜 ,  *二光子吸収 ,  ケイ素 ,  *合金化 ,  レーザ照射 ,  半導体薄膜 ,  不純物 ,  *窒化ガリウム ,  *合金 ,  半導体

著者キーワード (6件)： 窒化ガリウム ,  Al_xGa_1-xN薄膜 ,  二光子吸収 ,  分光法 ,  合金化とドーピング ,  非線形光学特性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  薄膜 ,  フェムト秒レーザ ,  誘起 ,  光子吸収 ,  合金化 ,  ドーピング ,  非線形光学 ,  応答