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J-GLOBAL ID：202002284636360026   整理番号：20A2267096

(CH_3NH_3)PbI_3に匹敵する水素発生のための光触媒活性を有する無鉛ハロゲン化物ペロブスカイトCs_3Bi_2 xSb_2-2 xI_9(x≒0.3)【JST・京大機械翻訳】

Lead-Free Halide Perovskite Cs₃Bi_{2 x}Sb_{2-2 x}I₉ (x ≒ 0.3) Possessing the Photocatalytic Activity for Hydrogen Evolution Comparable to that of (CH₃NH₃)PbI₃

著者 (10件)： Chen Guoqiang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Wang Peng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Wu Yaqiang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Zhang Qianqian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Wu Qian (School of Physics, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Wang Zeyan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Zheng Zhaoke (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Liu Yuanyuan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Dai Ying (School of Physics, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China) ,  Huang Baibiao (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shanda South Road 27#, Jinan, 250100, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 32  号： 39  ページ： e2001344  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛フリーペロブスカイトCs_3Bi_2_xSb_2-2xI_9(x=0.1,0.3,0.5,0.7,0.9)を共沈法により調製し,水素生産に対する光触媒性能をHI水溶液中で研究した。鉛系ペロブスカイト(CH_3NH_3)PbI_3と比較して,Cs_3Bi_2xSb_2-2xI_9は,空気質量1.5G(AM1.5G)模擬太陽光(100mWcm-2)下で,より良好な触媒性能を有し,Ptナノ粒子を担持したCs_3Bi_0.6Sb_1.4I_9(100mg)の粉末は,92.6μmolh-1の<H_2発生速度を示し,Ptナノ粒子(100mg触媒,4μmolh-1)を担持した(CH_3NH_3)PbI_3粉末よりも,非常に超えていた。Cs_3Bi_2xSb_2-2_xI_9は,5回の連続H_2発生実験後,触媒活性の明らかな低下なしに,高い安定性を示した。Cs_3Bi_2xSb_2-2_xI_9へのSbのドーピングは,伝導バンドへのBi3+の寄与を効果的に減少させ,バンド構造に対するBi空孔の影響を減衰させた。純粋なCs_3Bi_2I_9およびCs_3Sb_2I_9と比較して,Cs_3Bi_2xSb_2-2xI_9は,より少ない中間ギャップ状態および良好な光吸収を有し,水素発生反応に対するその性能を大きく増強した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固溶体 ,  光吸収 ,  粉体 ,  *アンチモン ,  *ビスマス ,  *触媒活性 ,  *ハロゲン化物 ,  伝導バンド ,  ドーピング ,  共沈 ,  *光触媒 ,  水素発生反応
準シソーラス用語： 水素製造 ,  *光触媒活性 ,  白金ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cs_3Bi_2xSb_2-2xI_9 ,  水素発生固溶体 ,  鉛フリーペロブスカイト ,  光触媒

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素発生 ,  光触媒活性 ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト