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J-GLOBAL ID：202002284684923686   整理番号：20A2579902

青色リンナノスクロール【JST・京大機械翻訳】

Blue phosphorus nanoscrolls

著者 (6件)： Wang Yitian (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Tang Xuehao (School of Materials Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Zhou Qionghua (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Chen Xinyu (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Chen Qian (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Xu Yuhao (Department of Mechanical Engineering, Prairie View A&M University, Prairie View, Texas 77446, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 16  ページ： 165428  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リンの同素体として,2次元青色リン(2D bP)は,2016年に分子線エピタキシーによるその成長の最初の実現以来,大きな注目を集めている。本論文では,2D bPの圧延により形成した自己カプセル化青色リンナノスクロール(bPNS)が,ab initio計算に基づいて,室温でエネルギー的に有利であることを見出した。著者らの結果は,これらの準一次元bPNSsが,異なるスクロール厚さと圧延方向に対して,0.02から1.8eVまで変化する広い範囲バンドギャップを有するすべての半導体であることを示した。電子移動度はアームチェア二重層bPNSsで620[数式:原文を参照]に達し,それは2D bP単層より約20倍大きかった。本研究は,他のクラスの半導体としてbPNSを発見し,他の2D材料の応用のための優れた候補としてスクロール戦略を提案する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  二次元 ,  単一層 ,  MBE成長 ,  黒リン ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  同素体 ,  二重層 ,  第一原理計算 ,  圧延方向 ,  準一次元 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  低温物理一般  (BL07010Q) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  電磁気学一般  (BD01020N) ,  電気物性一般  (BM03010R)

タイトルに関連する用語 (1件)： 青色